功率器件静态测试仪igbt测试设备
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PMST-3500V功率器件静态测试仪igbt测试设备

参考价: 订货量:
1000 1

具体成交价以合同协议为准
2024-07-09 09:58:29
197
属性:
产地:国产;加工定制:否;集电极-发射极最大电压:3500V;最大电流:6000A;漏电流测试范围:1nA~100mA;
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产品属性
产地
国产
加工定制
集电极-发射极最大电压
3500V
最大电流
6000A
漏电流测试范围
1nA~100mA
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武汉普赛斯仪表有限公司

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产品简介

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对功率器件静态测试仪igbt测试设备感兴趣,欢迎随时联系我们

详细介绍

功率器件静态测试仪igbt测试设备特点和优势:


单台Z大3500V输出;


单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;


15us的超快电流上升沿;


同步测量;


国标全指标的自动化测试;


可定制夹具;


纳安电流和uΩ级电阻测量;

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测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等


测试夹具

针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体,IGBT、SiC、MOS、GaN等产品,普赛斯提供

整套测试夹具解决方案,可用于T0单管,半桥模组等产品的测试。


普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对功率器件静态测试仪igbt测试设备感兴趣,欢迎随时联系我们

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