普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对半导体特性曲线仪IV+CV测试机感兴趣，欢迎随时联系我们！

产品特点：

30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；

测量精度高，全量程下可达0.03%精度；

内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；

自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；
提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；

免费提供上位机软件及SCPI指令集；

典型应用：

纳米、柔性等材料特性分析；

二极管；

MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；

第三代半导体材料/器件；

有机OFET器件；

LED、OLED、光电器件；

半导体电阻式等传感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；

电阻率系数和霍尔效应测量；

太阳能电池；

非易失性存储设备；

失效分析；

系统技术规格

半导体特性曲线仪IV+CV测试机订货信息

模块化构成：

低压直流I-V源测量单元

-精度0.1%或0.03%可选
-直流工作模式
-Z大电压300V，Z大直流1A或3A可选
-最小电流分辨率10pA
-四象限工作区间
-支持二线，四线制测试模式
-支持GUARD保护

低压脉冲I-V源测量单元

-精度0.1%或0.03%可选
-直流、脉冲工作模式
-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选，Z大脉冲电流10A或30A可选
-最小电流分辨率1pA
-最小脉宽200μs
-四象限工作区间.
-支持二线，四线制测试模式
-支持GUARD保护

高压I-V源测量单元
-精度0.1%    
-Z大电压1200V,Z大直流100mA

-最小电流分辨率100pA
-一、三象限工作区间
-支持二线、四线制测试模式
-支持GUARD保护

高流I-V源测量单元

-精度0.1%
-直流、脉冲工作模式.
-Z大电压100V，Z大直流30A,Z大脉冲电流100A
-最小电流分辨率10pA

-最小脉宽80μs
-四象限工作区间
支持二线、四线制测试模式
-支持GUARD保护

电压电容C-V测量单元

-基本精度0.5%
-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz
-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V
-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t

硬件指标-IV测试

半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持
四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。

灵活可定制化的夹具方案

针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可
用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC  MOS、GaN等单管，模组类产品的测试;也可与探针台连接，实现晶圆级芯片
测试。

探针台连接示意图