E200-IGBT击穿电压测试高压源-武汉普赛斯仪表有限公司手机版

详细介绍

普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。IGBT击穿电压测试高压源10ms级的上升沿和下降沿；单台最大3500V的输出；同步电流测量；

技术指标

电压性能参数：

电压	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)
100V	10mV	0.1%±40mV	10mV	0.1%±40mV
600V	60mV	0.1%±100mV	60mV	0.1%±100mV
1200V	120mV	0.1%±300mV	120mV	0.1%±300mV
1500V	150mV	0.1%±400mV	150mV	0.1%±400mV
2200V	220mV	0.1%±700mV	200mV	0.1%±700mV
3500V	350mV	0.1%±900mV	350mV	0.1%±900mV

电流性能参数：

电流	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)
1uA	100pA	0.1%±1nA	100pA	0.1%±1nA
10uA	1nA	0.1%±5nA	1nA	0.1%±5nA
100uA	10nA	0.1%±50nA	10nA	0.1%±50nA
1mA	100nA	0.1%±300nA	100nA	0.1%±300nA
10mA	1uA	0.1%±5uA	1uA	0.1%±5uA
100mA	10uA	0.1%±10uA	10uA	0.1%±10uA

最大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；

输出电压建立时间：< 5ms；

输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴），支持四线测量；

扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；

通信接口：RS232、以太网；

保护：支持急停；

触发：支持trig IN及trig out；

尺寸：19英寸2U机箱；

应用领域：

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

IGBT击穿电压测试高压源订货信息

型号	E100	E200	E300
源精度	0.1%	0.1%	0.1%
测量精度	0.1%	0.1%	0.1%
最大功率	120W	220W	350W
最小电压量程	100V	100V	100V
最大电压量程	1200V	2200V	3500V
最小电流量程	1uA	1uA	1uA
最大电流量程	100mA	100mA	100mA

高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。

产品简介

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