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参考价:

360000  -  ¥1920000
考夫曼离子源RFICP380镀制红外器件ZnS薄膜

具体成交价以合同协议为准

2023-02-14上海市
型号
参数
品牌:其他品牌 产地:进口 加工定制:否
伯东企业(上海)有限公司

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产品简介
某半导体厂商为了提高红外器件 ZnS 薄膜厚度均匀性, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 ZnS 薄膜, 并采用动态沉积的方法--样品台离心旋转的方式, 补偿或改善圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布.
详细信息

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

半导体厂商为了提高红外器件 ZnS 薄膜厚度均匀性采用  KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 ZnS 薄膜并采用动态沉积的方法--样品台离心旋转的方式补偿或改善圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

 

红外器件金属膜需要高均匀性的原因: 

红外器件几乎都要进行表面钝化和镀制金属膜在红外焦平面和读出电路的互连工艺中金属膜的厚度均匀性对于互连工艺的可靠性起着至关重要的作用而在背照式红外探测器的光接收面往往都要涂镀一层或数层介质膜以起到对器件进行保护和对红外辐射减反射的作用介质膜的厚度均匀性同样会影响探测器的滤光和接收带宽

 

KRI 离子源的功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:

上海伯东罗先生


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产品参数

品牌 其他品牌
产地 进口
加工定制
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