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考夫曼离子源成功用于多靶磁控溅射镀膜机

具体成交价以合同协议为准

2023-02-14上海市
型号
参数
品牌:其他品牌 产地:进口 加工定制:否
伯东企业(上海)有限公司

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质谱仪,氦质谱检漏仪,分子泵,真空计
产品简介
某 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000, 真空腔体搭配的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 2300.
详细信息

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000, 真空腔体搭配的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 2300.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:

离子源型号

eH3000

eH3000LO

eH3000MO

Cathode/Neutralizer

HC

电压

50-250V

50-300V

50-250V

电流

20A

10A

15A

散射角度

>45

可充气体

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

气体流量

5-100sccm

高度

6.0“

直径

9.7“

水冷

可选

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

 

涡轮分子泵 HiPace 2300 技术参数:

型号

接口 DN

抽速 l/s

压缩比

z高启动压强hPa

极限压力

全转速气体流量hPa l/s

启动时间

重量

进气口

排气口

氮气N2

氦气He

氢气 H2

氮气N2

氮气N2

hPa

氮气N2

min

kg

HiPace 2300

250

40

1,900

2,000

1,850

> 1X108

1.8

< 1X10–7

20

4

34 – 47

 

镀膜机实际运用案例:

采用多靶磁控溅射镀膜机在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯块表面上溅射沉积 ZrB_2 涂层,与其他未引用 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控溅射镀膜机相比引进 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵后其镀制的 ZrB_2 涂层附着力明显提高涂层厚度更加均匀晶粒更加细小, 沉积率更高.

 

KRI 离子源的功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:

上海伯东罗先生            


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产品参数

品牌 其他品牌
产地 进口
加工定制
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