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高精度实时三维分析FIB-SEM三束系统 NX9000
具体成交价以合同协议为准
2021-01-05
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产品简介
追求理想的三维结构分析通过自动重复使用FIB制备截面和进行SEM观察，采集一系列连续截面图像，并重构特定微区的三维结构。采用的镜筒布局，从*材料、*设备到生物组织在宽广的领域范围内实现传统机型难以企及的高精度三维结构分析。
详细信息
高精度实时三维分析FIB-SEM三束系统 NX9000
追求理想的三维结构分析
通过自动重复使用FIB制备截面和进行SEM观察，采集一系列连续截面图像，并重构特定微区的三维结构。
采用的镜筒布局，从*材料、*设备到生物组织——在宽广的领域范围内实现传统机型难以企及的高精度三维结构分析。
特点
规格
特点
- SEM镜筒与FIB镜筒互成直角，形成三维结构分析的镜筒布局
- 融合高亮度冷场发射电子枪与高灵敏度检测系统，从磁性材料到生物组织——支持分析各种样品
- 通过选配口碑良好的Micro-sampling®系统*和Triple Beam®系统*，可支持制作高品质TEM及原子探针样品
垂直入射截面SEM观察可忠实反映原始样品结构
SEM镜筒与FIB镜筒互成直角，实现FIB加工截面的垂直入射SEM观察。
旧型FIB-SEM采用倾斜截面观察方式，必定导致截面SEM图像变形及采集连续图像时偏离视野，直角型结构可避免出现此类问题。
通过稳定获得忠实反映原始结构的图像，实现高精度三维结构分析。
同时，FIB加工截面（SEM观察截面）与样品表面平行，有利于与光学显微镜图像等数据建立链接。
样品：小白鼠脑神经细胞
样品来源：自然科学研究机构/生理学研究所 窪田芳之 先生
Cut&See/3D-EDS*1/3D-EBSD*1可支持各种材料
Cut&See
从生物组织及半导体到钢铁及镍等磁性材料——支持低加速电压下的高分辨率和高对比度观察。
FIB加工与SEM观察之间切换时，不需要重新设定条件，可高效率的采集截面的连续图像
样品：镍
SEM加速电压：1 kV
加工间距：20 nm
重复次数：675次
3D-EDS*1
不仅支持截面SEM图像，也支持连续采集一系列截面的元素分布图像。
通过选配硅漂移式大立体角EDS检测器*1，可缩短测定时间以及可在低加速电压下采集元素分布图像。
样品：燃料电池电极
SEM加速电压：5 kV
加工间距：100 nm
重复次数：212次
样品来源：东京大学 生产技术研究所 鹿园直毅 教授
3D-EBSD*1
以的方式配置SEM/FIB/EBSD检测器*1，在FIB加工与EBSD分析之间无需移动样品台即可实现3D-EBSD。因为无需移动样品台，所以可大幅提高三维晶体取向分析的精度和效率。
样品：镍
SEM加速电压：20 kV
加工间距：150 nm
重复次数：150次
- *1：
- 选配
规格
| 项目 | 内容 | |
|---|---|---|
| SEM | 电子源 | 冷场场发射型 |
| 加速电压 | 0.1 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 2.1 nm@1 kV | |
| 1.6 nm@15 kV | ||
| FIB | 离子源 | 镓 |
| 加速电压 | 0.5 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 4.0 nm@30 kV | |
| 大束流 | 100 nA | |
| 标准探测器 | In-colum二次电子探测器/In-colum背散射电子探测器/ 样品室二次电子探测器 | |
| 样品台 | X | 0 ～ 20 mm *2 |
| Y | 0 ～ 20 mm *2 | |
| Z | 0 ～ 20 mm *2 | |
| θ | 0 ～ 360° *2 | |
| τ | -25 ～ 45° *2 | |
| 大样品尺寸 | 正方形边长6 mm × 厚度2 mm | |
- *2：
- 根据样品座不同，行程不同
关联产品分类
- 场发射扫描电子显微镜 (FE-SEM)
- 透射电子显微镜 (TEM/STEM)
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