$item.Name

首页>实验仪器>制样/消解设备>电子束刻蚀系统

参考价:

起订量:

  • 13
  • ≥1台
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 电子束刻蚀系统

具体成交价以合同协议为准

2022-09-29上海
型号
参数
品牌:其他品牌 产地:进口 加工定制:是
上海伯东企业有限公司

免费会员 代理商

该企业相似产品
Pfeiffer氦质谱检漏仪
产品简介
上海伯东日本*适合小规模量产使用和实验室研究的离子蚀刻机, 一般通氩气 Ar, 无污染, 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 产生轰击离子; 终点检出器采用 Pfeiffer 残余质谱监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.
详细信息

上海伯东日本*适合小规模量产使用和实验室研究的离子蚀刻机, 一般通氩气 Ar, 无污染, 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 产生轰击离子; 终点检出器采用 Pfeiffer 残余质谱监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.

 

Hakuto 离子蚀刻机 IBE 主要优点
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国考夫曼离子源
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.

 

 

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:

基板尺寸

< Ф8 X 1wfr

 NS 离子刻蚀机检测器可选

样品台

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

离子源

4 cm,8cm,10cm,16cm
考夫曼离子源

均匀性

±5% for 4”Ф

硅片刻蚀率

20 nm/min

温度

<100

 

 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 组成:
 

 NS 离子蚀刻机通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
 

相关技术文章

同类产品推荐

企业未开通此功能
详询客服 : 0571-87858618

产品参数

品牌 其他品牌
产地 进口
加工定制
提示

仪表网采购电话