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中村代理:Toray东丽感光聚酰亚胺Photonice
东丽 Photonice™ GN 系列 是负型、厚膜专用、高耐热的感光聚酰亚胺(PSPI),主打8–20μm 厚膜图形化,适配半导体封装、MEMS、功率器件等高温厚膜绝缘 / 钝化场景。
中村代理:Toray东丽感光聚酰亚胺Photonice
产品全称:东丽 Photonice™ GN 系列负型感光聚酰亚胺涂层剂
类型:负型(n-PSPI) → 曝光区交联固化保留,未曝光区被碱性水溶液显影去除
核心定位:厚膜、高耐热、高可靠yong久绝缘 / 钝化膜
标准膜厚范围:8–20μm(东丽 PSPI 中厚膜专用,区别于 PW/LT 等薄 / 中膜系列)
厚膜图形化:一次涂布即可实现厚膜光刻,无需多次叠层,大幅简化工艺
膜厚均匀性:厚膜下仍保持优异平整度与图形精度
固化温度:≥ 300℃(适配回流焊、高温键合等后道工艺)
玻璃化转变温度(Tg):≥ 300℃
热失重温度(Td₅%):≥ 500℃(高温下热稳定性ji强)
热膨胀系数(CTE):≤ 50 ppm/℃(与硅 / 金属基材匹配度高,减少热应力翘曲)
拉伸强度:≥ 150 MPa
断裂伸长率:≥ 40%(兼顾强度与韧性,抗开裂、抗冲击)
弹性模量:≥ 3 GPa
应用价值:可作为yong久膜长期服役,耐受温度循环与机械应力
曝光光源:适配 i-line(365nm)等主流紫外光刻
显影体系:碱性水溶液显影(如 TMAH),无需特殊溶剂,环保且兼容标准产线
分辨率:厚膜下仍可实现 **≥5μm** 精细图形
固化后特性:耐酸碱、耐有机溶剂、低吸湿性、高绝缘性
介电常数:≈ 3.2–3.5(低介电,减少信号损耗)
体积电阻率:≥ 10¹⁶ Ω·cm(优异绝缘,防漏电)
介电强度:≥ 200 kV/mm(耐高压击穿)
半导体封装:再布线层(RDL)绝缘、钝化层、应力缓冲层
功率器件 / IGBT:高温厚膜绝缘与保护
MEMS 器件:结构层、密封层、绝缘层
gao端 PCB/FPC:高密度互连的厚膜绝缘图形
玻璃芯基板(TGV):通孔填充与侧壁绝缘(东丽新一代技术方向)