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HSE M200 深硅刻蚀机
具体成交价以合同协议为准
2025-09-06北京市
- 型号
- HSE M200
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产品简介
HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蚀工艺。可以配置手动及自动传输系统。产品配置高密度双立体等离子体源，中心边缘进气，快速气体切换，低频脉冲下电极系统，可以实现高速、高深宽比、高均匀性及极小的侧壁粗糙度。
HSEM200深硅刻蚀机HSEM200DeepSiliconEtcherHSEM200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蚀工艺
详细信息
HSE M200 深硅刻蚀机
HSE M200 Deep Silicon Etcher
- 设备特点
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- 双等离子源和双区进气，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率
- 兼容性强，工艺种类多样，应用领域广泛，系统可靠性强
- 灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用
- 低拥有成本和运营成本
- 产品应用
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- 晶圆尺寸8英寸及以下
- 适用材料硅、SOI、SOG
- 适用工艺深硅刻蚀
- 适用领域微机电系统、科研领域
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