技术指标：

1. 分辨率

二次电子 (SE) 成像：

分辨率：1.0nm@30kV，分辨率：3.0nm@1kV

背散射电子（BSE）成像：分辨率：2.5nm@20kv 

2. 放大倍数

15 x -800,000 x，实时显示屏幕放大倍数 

3. 加速电压

0～30kV 

4. 电子枪

Schottky肖特基场发射电子枪；

自动调整功能：聚焦、亮度/对比度、消像散、动态聚焦、电子束对中等。 

5. 镜筒

高性能透镜系统

物镜光阑：三个可在真空外调节，无需拆卸镜筒即可更换物镜光阑

6. 真空系统

2个离子泵，1个涡轮分子泵，1个机械泵；样品室真空优于6×10^-4 Pa ，枪真空优于1×10^-6Pa。全自动真空控制，具有真空互锁功能。 

7. 探测器

高真空二次电子探测器。

背散射电子探测器

红外CCD检测器

8. 自动样品台

五轴全自动预对中样品台，重复定位精度2μm。

行程：X≤ 75mm，Y≤ 75mm，Z≤ 60mm

旋转：360°连续

倾斜： -5°～+75°

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