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KRI 射频离子源 RFICP 380 和 分子泵组用于溅射沉积 Cu 薄膜

薄膜表面粗糙度与机械零件的配合性质、耐磨性、疲劳强度、接触刚度、振动和噪声等有重要关系, 直接决定机械产品的使用寿命和可靠性. 因此, 某薄膜制造商为了获得优质的 Cu 薄膜, 采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 、霍尔离子源 eH 2000 和 分子泵组 Hicube 30 Eco 辅助溅射沉积 Cu 薄膜.

该制造商的镀膜机设备采用双离子束溅射沉积系统, 该设备的本底真空为5x10^-5 Pa, 溅射气体使用 Ar⁺ 粒子, 靶材成分为 99.99% Cu, 衬底为硅片.

其双离子束溅射沉积系统工作示意图如下：

其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗.

用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380,

伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：

推荐理由：

聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000

伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000 技术参数:

其溅射室需要沉积前本底真空抽到1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组 Hicube 30 Eco, 其技术参数如下：

分子泵组 Hicube 30 Eco 技术参数

实际运行结果：

1. 双离子束溅射制备的薄膜由于其他方法生长的薄膜, 薄膜的表面平整度、厚度均匀性更好
2. 沉积角必须要避开 25°附件的位置, 这一位置的粗糙度太大, 生长出的薄膜表面的各方面性质远低于其他位置

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口品牌的代理商.