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CTM-1000电输运性质测量系统可以进行霍尔效应、R-H 特性、R-T 特性和 I-V 特性的测量, 可得出参数:方块电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型,可绘制以上参数随温度或磁场的变化曲线,以及 I-V 特性——不同磁场和不同温度下的 I-V 特性曲线,R-H 特性——固定温度,电阻随着磁场变化的特性曲线,R-T 特性——固定磁场,电阻随着温度变化的特性曲线。
一、电输运性质测量系统主要特点:
电输运测试系统可测试材料:
一、半导体材料:
二、 Si、Ge、GaAs、GaN、AlGaAs、CdTe、HgCdTe、CdTe、ZnO、SiC、GeSi、InP、MCT等,以及弱磁半导体和稀磁半导体的薄膜及块材;
三、 铁氧体材料;
四、 低阻抗材料:金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等。
二、电输运性质测量系统主要特点:
1)标准系统使用插入式样品夹具,样品安装方便;
2)基本配置一次最多可以加装四个样品, 并同时可以对两个样品进行测试;
3)标准系统随机配送一个探针样品卡;
4)标准系统可以进行不同磁场下的霍尔效应、I-V特性的测量;
5)电阻测量范围宽:0.1mΩ—50GΩ(高阻系统),测量的不确定度为2%;
6)测试过程和计算过程由软件自动执行,节省了大量的时间;
7)软件可以显示测量结果和测量曲线;
8)系统磁场采用闭环控制,可以提供高稳定性的磁场, 同时解决了磁铁剩磁问题,实现真正的零磁场;
9)选择变温选件,可以进行不同温度下的霍尔效应测量和I-V特性测量。
二、主要技术参数:
一、物理学参数:
1.迁移率:1~1×106cm2/vs
2.载流子浓度:6×1012 ~ 6×1023cm-3
3.霍尔系数:±1×10-5 ~±1×106cm3/C
4.电阻率:5×10-9 ~ 5×102Ω·cm
二、电学参数
1.电阻:0.1mΩ ~ 10MΩ
2.电流源:±50pA~±1A(±1.05A@±21V, ±105mA@±210V)
3.电压源:±5μV~±200V(±21V@±1.05A, ±210V@±105mA)
4.电流测量:±10pA~±1.05A(10pA 为最小分辨率)
5.电压测量:±1nV~±100V(1nV 为最小分辨率)
三、液氮恒温器
1.温度范围:80-500K;
2.控温精度:±0.1K;
3.配合霍尔系统可进行低温霍尔测试;
4.配合控温仪和软件使用需具备线性扫温功能;
四、控温仪
1.一路控温,控温精度±0.1K;
2.一路加热,加热功率50w;
3.三档加热输出,PID控温;
4.可远程控制,带Labview驱动及温度控制软件;
5.与液氮恒温器配套使用;
四、机械泵
1.配套机械泵,抽速4L/s;
2.配备波纹管、卡箍等所需真空附件;
与液氮恒温器配套使用。