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PMGI 负光刻胶
产品名称：光刻胶
型号：PMGI
关键词：MicroChem系列光刻胶
PMGI & LOR负光刻胶使能高产，广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离。PMGI & LOR负光刻胶作为双叠层光刻胶，PMGI & LOR在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化（＜0.25μM），以及非常厚（＞4μm）金属化。这些*的材料可几乎满足任何客户需要。
材料用途：金属电梯加工，桥制造，释放层
材料属性：
l 覆盖在成像抗蚀剂不会混杂
l 在TMAH双叠层一步发展，或KOH开发
l 高热稳定性：Tg ~190 C
l 快速清除和常规抗剥离干净
l 0.25μm微米双层抗蚀成像
l 产量高，可用于很厚（＞3μm）金属剥离处理
Bi-Layer Lift-Off Process | Lift-Off: An enabling, additive lithographic process. |
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Step 1. LOR or PMGI is coated | 1. Bi-layer resist pattern |
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Step 2. The imaging resist is coated onto the LOR or PMGI layer. | 2. Metal Deposition |
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Step 3. The imaging resist is exposed. | 3. Clean solvent lift-off |
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Step 4. The wafer is developed. | |
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Step 5. Metal Deposition | |
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Step 6. Lift-Off! |
