UPD超快光电探测器

UPD超快光电探测器

参考价: 面议

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2020-09-04 05:10:53
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上海尖丰光电技术有限公司

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产品简介

产品简介: ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围。 所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池或外接电源。 是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。

详细介绍

UPD超快光电探测器(Ultrafast_Photodetectors)

品牌:ALPHLAS UPD

产品简介: ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围。 所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池或外接电源。 是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。 另一种类型*的紫外线敏感的InGaAs 探测器,可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲,因此具有宽的光谱范围和高的响应速度。完美的阻抗匹配和*的微波技术,确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻,进行高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线,加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器,高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个*的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的*的工具。

产品细节图片:

UPD超快光电探测器

UPD超快光电探测器

UPD超快光电探测器

UPD超快光电探测器

UPD超快光电探测器

特点:

l 超高速运行

l 上升时间:15 ps - 500ps

l 带宽:高达25 GHz

l 光谱范围:170 - 2600纳米

l 紧凑封装

l 电池或外部电源

l 自由空间光入射或FC/PC型

l 接头或光纤尾纤

应用:

l 脉冲形式测量

l 脉冲宽度测量

l 精确的同步

l 模式变化监控

l 外差测量

UPD系列:

Photodetector Model

Rise Time(ps)

Band-width(GHz)

Spectral Range(nm)

Quantum Efficiency@ Peak

SensitiveArea (Dia. μm/mm2)

Noise Equiv. Power (W/√Hz)

DarkCurrent (nA)

Material

Optical Input / Window Type 1)

RF Output Connec-tor

UPD-15-IR2-FC

< 15

> 25

800 - 1700

75%

Fiber, 9 μm

1.0 × 10-15

0.1

InGaAs

Fiber w. FC/APC 5)

SMA

UPD-30-VSG-P

< 30

> 10

320 - 900

40%

200x200/0.04

3.0 × 10-15

0.1

GaAs

Polished, glass

SMA

UPD-35-IR2-P

< 35

> 10

800 - 1700

80%

55/0.0024

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs

Polished, glass

SMA

UPD-35-IR2-D

< 35

> 10

800 - 1700

80%

55/0.0024

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs

Diffuse, quartz

SMA

UPD-35-IR2-FR

< 35

> 10

800 - 1700

80%

55/0.0024

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs

FC/PC receptacle5)

SMA

UPD-35-IR2-FC

< 35

> 10

800 - 1700

80%

Fiber, 9 μm

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs

Fiber w. FC/APC 5)

SMA

UPD-35-UVIR-P

< 35

> 10

350 - 1700

80%

55/0.0024

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs4)

Polished, MgF2

SMA

UPD-35-UVIR-D

< 35

> 10

350 - 1700

80%

55/0.0024

1.0 × 10-15

0.3

InGaAs4)

Diffuse, quartz

SMA

UPD-40-VSI-P

< 40

> 8.5

500 - 1690

40%

200x200/0.04

3.0 × 10-10

5000

InGaAs

Polished, glass

SMA

UPD-40-IR2-P

< 40

> 8.5

800 - 1700

80%

60/0.0028

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs

Polished, glass

SMA

UPD-40-IR2-D

< 40

> 8.5

800 - 1700

80%

60/0.0028

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs

Diffuse, quartz

SMA

UPD-40-IR2-FR

< 40

> 8.5

800 - 1700

80%

60/0.0028

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs

FC/PC receptacle5)

SMA

UPD-40-IR2-FC

< 40

> 8.5

800 - 1700

80%

Fiber, 9 μm

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs

Fiber w. FC/APC 5)

SMA

UPD-40-UVIR-P

< 40

> 8.5

350 - 1700

80%

60/0.0028

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs4)

Polished, MgF2

SMA

UPD-40-UVIR-D

< 40

> 8.5

350 - 1700

80%

60/0.0028

1.1 × 10-15

0.5

InGaAs4)

Diffuse, quartz

SMA

UPD-50-SP

< 50

> 7.0

320 - 1100

45%

100/0.0079

1.2 × 10-15

0.001

Si

Polished, glass

SMA

UPD-50-SD

< 50

> 7.0

320 - 1100

45%

100/0.0079

1.2 × 10-15

0.001

Si

Diffuse, quartz

SMA

UPD-50-UP

< 50

> 7.0

170 - 1100

45%

100/0.0079

1.2 × 10-15

0.001

Si 4)

Polished, MgF2

SMA

UPD-50-UD

< 50

> 7.0

170 - 1100

45%

100/0.0079

1.2 × 10-15

0.001

Si 4)

Diffuse, quartz

SMA

UPD-70-IR2-P

< 70

> 5.0

800 - 1700

80%

80/0.005

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs

Polished, glass

SMA

UPD-70-IR2-D

< 70

> 5.0

800 - 1700

80%

80/0.005

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs

Diffuse, quartz

SMA

UPD-70-IR2-FR

< 70

> 5.0

800 - 1700

80%

80/0.005

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs

FC/PC receptacle5)

SMA

UPD-70-IR2-FC

< 70

> 5.0

800 - 1700

80%

Fiber, 9 μm

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs

Fiber w. FC/APC 5)

SMA

UPD-70-UVIR-P

< 70

> 5.0

350 - 1700

80%

80/0.005

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs4)

Polished, MgF2

SMA

UPD-70-UVIR-D

< 70

> 5.0

350 - 1700

80%

80/0.005

2.0 × 10-15

0.8

InGaAs4)

Diffuse, quartz

SMA

UPD-100-IR1-P

< 100

> 3.0

400 - 2000

80%

80/0.005

3.0 × 10-13

700

Ge

Polished, glass

SMA

UPD-200-SP

< 175

> 2.0

320 - 1100

85%

400/0.126

1.5 × 10-15

0.001

Si

Polished, glass

BNC

UPD-200-SD

< 175

> 2.0

320 - 1100

85%

400/0.126

1.5 × 10-15

0.001

Si

Diffuse, quartz

BNC

UPD-200-UP

< 175

> 2.0

170 - 1100

85%

400/0.126

1.5 × 10-15

0.001

Si 4)

Polished, MgF2

BNC

UPD-200-UD

< 175

> 2.0

170 - 1100

85%

400/0.126

1.5 × 10-15

0.001

Si 4)

Diffuse, quartz

BNC

UPD-300-SP

< 300

> 1.0

320 - 1100

90%

600/0.283

3.0 × 10-15

0.01

Si

Polished, glass

BNC

UPD-300-SD

< 300

> 1.0

320 - 1100

90%

600/0.283

3.0 × 10-15

0.01

Si

Diffuse, quartz

BNC

UPD-300-UP

< 300

> 1.0

170 - 1100

90%

600/0.283

3.0 × 10-15

0.01

Si 4)

Polished, MgF2

BNC

UPD-300-UD

< 300

> 1.0

170 - 1100

90%

600/0.283

3.0 × 10-15

0.01

Si 4)

Diffuse, quartz

BNC

UPD-500-SP

< 500

> 0.6

320 - 1100

90%

800/0.5

3.5 × 10-15

0.01

Si

Polished, glass

BNC

UPD-500-SD

< 500

> 0.6

320 - 1100

90%

800/0.5

3.5 × 10-15

0.01

Si

Diffuse, quartz

BNC

UPD-500-UP

< 500

> 0.6

170 - 1100

90%

800/0.5

3.5 × 10-15

0.01

Si 4)

Polished, MgF2

BNC

UPD-500-UD

< 500

> 0.6

170 - 1100

90%

800/0.5

3.5 × 10-15

0.01

Si 4)

Diffuse, quartz

BNC

UPD-3N-IR2-P

< 1506)

> 0.46)

800 - 2100

75%

300/0.07

1.5 × 10-13

90

InGaAs

Polished, glass

BNC

UPD-5N-IR2-P

< 2006)

> 0.36)

800 - 2600

70%

300/0.07

7.0 × 10-13

2000

InGaAs

Polished, glass

BNC

UPD-2M-IR2-P

< 75000

> 0.004

900 - 1700

80%

2000/3.14

4.0 × 10-14

5

InGaAs

Polished, glass

BNC

UPD-2M-IR2-P-1TEC 3)

< 75000

> 0.004

900 - 1700

75%

2000/3.14

1.0 × 10-14

0.3

InGaAs

Polished, glass

BNC

MSM超快光电探测器UltraFast

产品简介:UltraFast系列MSM超快光电探测器,探测带宽可达35GHz,探测波长范围400~1600nm。经过优化设计,探测器脉冲拖尾降至低,并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构(金属-半导体-金属)具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点,这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂,提高了探测器的响应度,降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。

两种型号:

UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)

UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz)

技术参数:

UltraFast-20-xx

UltraFast-35-xx

探测器类型

MSM (Metal – Semiconductor – Metal)

感应材料

InGaAs

带宽 (-3 dB)

DC – 20 GHz

DC – 35 GHz

上升时间 (10% - 90%)

< 12 ps

< 11 ps

脉宽 (FWHM)

< 20 ps

< 18 ps

波长范围

<400 nm – 1.6 μm

响应度*

0.24 A/W @ 810 nm
0.19 A/W @ 1.3 μm
0.12 A/W @ 1.5 μm

0.12 A/W @ 810 nm
0.1 A/W @ 1.3 μm
0.06 A/W @ 1.5 μm

偏置电压

2 V – 9 V

偏置输入接口

SMC male

标准射频信号输出口

K-Type female

* 跟耦合结构有关,响应度值可能会降低。

上海尖丰光电技术有限公司

AOE TECH CO.,LTD

地址:上海市闵行区元江路3599328

201109

021- 64306513

021- 64306513

sales

:

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