单晶硅变送器 概述：

　选取进口高性能隔离式扩散硅传感器采用九十年代*制造工艺，具有同类进口变送器的坚固性和可靠性，适用于各种工业领域中腐蚀性介质的表压、绝压和负压的检测。

单晶硅变送器 主要技术参数：
  
        电源：24VCD 输出4-20mA二线制
零位可调范围：±5%FS
  量程调节比：3:1以上
    负载特性：负载在0~600Ω内（24VDC供电）维持恒流输出
              隔爆型dⅡBT4，本安型iaⅡCT5
    过压极限：2倍于上限压力
    温度范围：过　程：-20~60℃
环　境：-20~60℃
储　藏：-40~80℃
稳定性：±0.2%FS
        重量：约1kg