关键词: MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金刚石、微波等离子体化学气相沉积系统
CVD金刚石合成设备、纳米晶金刚石、超纳米晶金刚石、UNCD、NCD、MCD、
Microwave Plasma Assited/Enhanced Chemical Vapor Deposition System
微波等离子体化学气相沉积系统用于沉积纳米晶金刚石，设备特点概述如下：
适用范围：生长大面积金刚石薄膜(4-8英寸，甚至更大)
生长速度：可高达several μm/h，甚至更高；
生长范围：可在直径100mm范围内生长、或者在直径200mm范围内生长。
晶粒大小：超纳米晶、纳米晶、微米晶
研究及小规模生产型：
功率：2.45GHz，6KW；
加热衬底：3’’-4’’ diameter, 衬底旋转、偏压电极可选；
真空泵：机械泵（油泵或干泵），TMP可选；
气路：CH4，H2，Ar; 更多可选.
控制方式：半自动或全自动；
生长速率：可达5μm/h
整体特点：用于MEMS领域
大规模大面积生产研发型：
微波功率：915MHz，35KW；
衬底：直径200mm或更大; 衬底加热或旋转可选（或多个衬底旋转机构）；偏压可选
真空系统：油泵或干泵+TMP；
控制系统：全自动控制；
工艺气路：CH4，H2，Ar;更多可选；
生长速率：5μm/h，更高可能
衬底材料：请咨询我们！
整体特点：专门大面积纳米晶、超纳米晶金刚石薄膜研究及生产配置；可获得4’’-8’’wafer，可用于MEMS领域.
