Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片
时间：2020-11-24 阅读：507
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片
某芯片实验室为了解决芯片湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题, 引进伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
真空腔 | 1 set, 主体不锈钢,水冷 |
基片尺寸 | 1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却, |
离子源 | ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75 |
离子束入射角 | 0 Degree～± 90 Degree |
极限真空 | ≦1x10-4 Pa |
刻蚀性能 | 一致性: ≤±5% across 4” |
该实验室采用的 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
离子源型号 | 离子源 KDC 75 |
Discharge | DC 热离子 |
离子束流 | >250 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 7.5 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-15 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 20.1 cm |
直径 | 14 cm |
中和器 | 灯丝 |
* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架
试验结果:
Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 刻蚀出的芯片表面平整、光滑,解决了湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题,并提高了刻蚀速率.