某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对其进行优化.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:

该制造商采用的 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数：

* 可选: 可调角度的支架

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 配的是 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蚀室的真空度.

其产品优势:

1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵，用于 N₂ 时的高抽速可达 685 l/s

2.佳真空性能，低功耗

3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 400

4.可在任何方向安装

5.带有集成型水冷系统以保证大气体流量

6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接

7.广泛的配件扩展使用范围

运行结果:

1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.

2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.