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射频离子源RFICP380溅射制备微晶硅薄膜
硅薄膜作为薄膜太阳能电池的核心材料越来越引起人们的重视, 非晶硅薄膜太阳能电池由于存在转换效率低和由 S-W 效应引起的效率衰退等问题, 而微晶硅薄膜具有较高电导率、较高载流子迁移的电学性质及优良的光学稳定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成为光伏领域的研究热点. 参考价￥360000 -
考夫曼射频离子源溅射沉积立方氮化硼薄膜
立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化学惰性/ 较好的热稳定性/ 高的热导率/ 在宽波长范围内(约从 200nm 开始) 有很好的透光性/ 可掺杂为 n 型和 p 型半导体等特点, 在切削工具/ 耐磨材料/ 光学元件表面涂层/ 高温/ 高频/ 大功率/ 抗辐射电子器件/ 电路热沉材料和绝缘涂覆层等方面具有很大的应用潜力. 参考价￥300000 -
KRi 射频离子源应用于IBE 离子束蚀刻系统
上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大面积射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子束蚀刻机, 刻蚀均匀性（1 σ）达到 1%. 可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等. 参考价￥300000 -
KRi 离子源电子束蒸发系统辅助镀膜应用
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD. 参考价￥300000 -
KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和 IBD 离子束沉积是其典型的应用. 参考价￥300000 -
考夫曼离子源成功用于多靶磁控溅射镀膜机
某 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000, 真空腔体搭配的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 2300. 参考价面议 -
考夫曼离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜
上海某大学研究室在多层钛膜做微观结构的研究中采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积钛薄膜做加热电路提高器件温度,从而提高光波导器件中硅材料的折射率. 参考价￥360000 -
考夫曼离子源RFICP380镀制红外器件ZnS薄膜
某半导体厂商为了提高红外器件 ZnS 薄膜厚度均匀性, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 ZnS 薄膜, 并采用动态沉积的方法--样品台离心旋转的方式, 补偿或改善圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布. 参考价￥360000 -
KRI离子源RFICP140溅射沉积半导体IGZO薄膜
河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜. 参考价￥360000 -
考夫曼离子源RFICP220溅射沉积ZnNi合金薄膜
沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表面形貌的影响
采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 磁控溅射沉积的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均匀, 使薄膜致密, 并且附着性好. 参考价￥360000 -
考夫曼离子源RFICP380制备IFBA芯块ZrB2涂层
某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层. 参考价￥360000 -
KRI 考夫曼射频离子源RFICP140制备NGZO薄膜
上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 , 通入氩气和氮气, 在流量比分别为 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))条件下制备 NGZO 薄膜. 参考价￥360000