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射频离子源RFICP380溅射制备微晶硅薄膜
¥360000考夫曼射频离子源溅射沉积立方氮化硼薄膜
¥300000KRi 射频离子源应用于IBE 离子束蚀刻系统
¥300000KRi 离子源电子束蒸发系统辅助镀膜应用
¥300000KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
¥300000考夫曼离子源成功用于多靶磁控溅射镀膜机
面议考夫曼离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380镀制红外器件ZnS薄膜
¥360000KRI离子源RFICP140溅射沉积半导体IGZO薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP220溅射沉积ZnNi合金薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380制备IFBA芯块ZrB2涂层
¥360000KRI 考夫曼射频离子源RFICP140制备NGZO薄膜
¥360000因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准
电子束蒸发镀膜 E-Beam
上海伯东代理 E-Beam 电子束蒸发镀膜机 ( 电子蒸镀 ), zui大真空度可达 5E-10 torr, 提供客制化服务.
推荐设备型号: EBS-150 |
型号 EBS-150 UHV |
型号 EBS-300 Dual |
E-Beam 电子束蒸发适用于
Lift-off 工艺
HMET, PHMET 晶体管
Ohmic and Schottky contacts on GaN 氮化镓基片欧姆和肖特基接触
IR waveguides 红外波导
Thermal barriers 热障
Magnetic materials for microwave applications 磁性材料微波应用
MEMS 封装
超导隧道结
上海伯东代理电子束蒸镀设备,专精于金属及氧化物薄膜的制备, 可用于超导量子实验室制备超导结 ( 量子比特和约瑟夫森结 ) 和量子器件, 可以制备大面积, 高稳定性和可重复性超导结. 电子束蒸发设备提供客制化服务, 满足各类不同真空系统整合需求!
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生