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射频离子源RFICP380溅射制备微晶硅薄膜
¥360000考夫曼射频离子源溅射沉积立方氮化硼薄膜
¥300000KRi 射频离子源应用于IBE 离子束蚀刻系统
¥300000KRi 离子源电子束蒸发系统辅助镀膜应用
¥300000KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
¥300000考夫曼离子源成功用于多靶磁控溅射镀膜机
面议考夫曼离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380镀制红外器件ZnS薄膜
¥360000KRI离子源RFICP140溅射沉积半导体IGZO薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP220溅射沉积ZnNi合金薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380制备IFBA芯块ZrB2涂层
¥360000KRI 考夫曼射频离子源RFICP140制备NGZO薄膜
¥360000因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准
脉冲激光沉积 PLD-18L
上海伯东代理脉冲激光沉积设备 PLD-18L, 它可以与溅射枪, 积液池, 高压流变, 激光束控制相结合, 可以放置 8×1 英寸的样品或 4×2 英寸的样品, 在真空状态下通过 load lock chamber 进行更换, 使用高速激光扫描仪, 可以很容易地作出大规模的结果.
PLD 系统共分两型, PLD-12L 与 PLD-18L, L 代表激光加热. PLD 适合长氧化物与多元薄膜, 在氧化物生长的时候要通入大量的氧气, 而氧气会造成一般加热器的损伤甚至断掉. 而我们代理的激光加热器没有这个缺点, 可以在高氧压甚至臭氧下工作. 高工作温度可达 1000摄氏度以上. PLD-12L 的优点是腔体小, 速度快. 可以兼容两只磁控溅射靶或束源炉. 可使用 mask. PLD-18L 的扩充性强大, 可以装4只束源炉或是 plasma cell, 靶材台可装6个1寸靶或者3个2寸靶. 两种系统均可装配高气压高能电子枪 ( High Pressure RHEED ) PLD-18 可加装椭圆仪, 及时监控. 激光视窗保护机构可保护视窗,
可沉积材料如: Heterostructure metal oxides (e.g. Fe / SrTiO3, Nb / SrTiO3, BiFeO3, etc), high temperature superconducting materials, silicon oxides, high k oxides, metal nitrides, ferroelectric materials, etc.
脉冲激光沉积 PLD-18L 特点
• Base pressure: 5E-10 torr
• RHEED system
• 4 axis substrate manipulator with rotation and XYZmovement
• Pumping throughput control
• All metal leak valve
• Laser Heater
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生