详细介绍

霍尔传感器（Hall Effect Sensors）

HSU-1未封装型霍尔传感器（HSU-1 Unpackaged Hall Effect Sensor）

这是一款构建在陶瓷基板上未封装型霍尔传感器，有效面积为100um×100 um。该类型传感器尺寸很小，适合空间受限场合下磁场测试。

HSU-1未封装型霍尔传感器和示意图

HSP-T横向霍尔传感器（HSP-T Transverse Hall Effect Sensor）

该传感器被横向安装在基板上并灌装环氧树脂固定封装，与其它常见霍尔传感器相比，该款传感器霍尔电压与磁场呈高度线性，且灵敏度与温度关联不大，可在更大磁场范围和更广温度范围下工作。

HSP-T横向霍尔传感器和示意图

HSP-A轴向霍尔传感器（HSP-A Axial Hall Effect Sensor)

该传感器安装在轴向基座上，霍尔电压不小于10mV@Telsa，比之前其它类型的灵敏度提高25%。

HSP-A轴向霍尔传感器和示意图

几种霍尔传感器的性能参数表

	HSU-1	HSP-T	HSP-A
Magnetic Field Range	0 - 33T	0 - 30T	0 - 30T
Temperature Range	1.5K - 350K	1.5K - 350K	1.5K - 350K
Nominal Current In	20 mA	100 mA	100 mA
Sensitivity	> 5 mV/T	> 10mV/T	> 10mV/T
Linearity Error (300K)	< 0.1% (B=0-1T)	< 0.2%(B=0-1T)	< 0.2% (B=0-1T)
Linearity Error (4.2K)	< 1.0% (B=0-5T)	< 1.0% (B=0-5T)	< 1.0% (B=0-5T)
Mean Temperature Coefficient of Sensitivity	2×10^-5/K	2×10^-5/K	2×10^-5/K
Active Sensing Area	100 um×100 um	0.625mm²	0.05mm²
Residual Voltage	< 20uV	< 20uV	±10uV
Quantum Oscillations Begin	2.0K	2.0K	2.0K
Amplitude of Quantum Oscillations	< 0.1%	< 0.1%	< 0.1%
Input Resistance at 4.2K (zero field)	1.8 ohms	1.8 ohms	1.8 ohms
Dimensions	5mm×4mm×0.7mm	7mm×5mm×1mm	6mm O.D.×8mm