产品名称：介质耗损因数试验仪

产品型号：GDAT-A

显示方式：液晶显示

产品用途：绝缘材料介质耗损因数的测试

介质耗损因数试验仪 技术特性：

1.Q 值测量范围  2 ～ 1023 ， 量程分档： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自动换档或手动换档 2.固有误差  ≤ 5 ％ ± 满度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 满度值的2％（10MHz～160MHz）  
3.工作误差  ≤7％ ± 满度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 满度值的2％（10MHz～160MHz）  
4.电感测量范围  4.5nH ～ 140mH  
5.电容直接测量范围  1 ～ 200pF  
6.主电容调节范围  18 ～ 220pF  
7.主电容调节准确度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％  
8.信号源频率覆盖范围  100kHz ～ 160MHz  
9.频率分段 （ 虚拟 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz  
10.频率指示误差  3 × 10 -5 ± 1 个字  

11.搭配了全新的介质损耗装置与GDAT系列q表搭配使用。

介质耗损因数试验仪产品概述：

1.介质耗损因数试验仪是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε)，可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。

2.介质耗损因数试验仪以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。

3.介质耗损因数试验仪能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。

4.介质耗损因数试验仪用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。

介质耗损因数试验仪满足标准：

GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的*方法。

介质耗损因数试验仪特点：

1.双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。 
2.双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。 
3.双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。 
4.自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。 
5.全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。 
6.DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。 
7.计算机自动修正技术和测试回路优化 —使测试回路 残余电感减至低，** Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。 
8.gdat高频Q表的创新设计，无疑为高频元器件的阻抗测量提供了*的解决方案，它给从事高频电子设计的工程师、科研人员、高校实验室和电子制造业提供了更为方便的检测工具，测量值更为精确，测量效率更高。使用者能在仪器给出的任何频率、任意点调谐电容值下检测器件的品质，无须关注量程和换算单位。 

BD916介质损耗测试装置技术特性 

1.平板电容器： 极片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可选  
              极片间距可调范围：≥15mm 
2. 夹具插头间距：25mm±0.01mm 
3. 夹具损耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 
4．测微杆分辨率：0.001mm
 
电感：
 
线圈号     测试频率      Q值     分布电容p      电感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH