介电常数介质损耗测试仪

h介电常数介质损耗测试仪

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2016-10-29 19:20:23
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北京北广精仪仪器设备有限公司

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产品简介

满足标准:GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的*方法

详细介绍

BD916介质损耗测试装置技术特性 

平板电容器: 极片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可选  
极片间距可调范围:≥15mm 
2. 夹具插头间距:25mm±0.01mm 
3. 夹具损耗正切值≤4×10-4 (1MHz) 
4.测微杆分辨率:0.001mm
 
电感:
 
线圈号    测试频率    Q值    分布电容p       电感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH 

满足标准:GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的*方法

一、介电常数介质损耗试验仪概述
介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据;仪器的基本原理是采用高频谐振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制,测量核心采用了频率数字锁定,标准频率测试点自动设定,谐振点自动搜索,Q值量程自动转换,数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至低,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。
该仪器用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。
 
  主要技术特性  
Q 值测量范围  2 ~ 1023 , 量程分档: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自动换档或手动换档  
固有误差  ≤ 5 % ± 满度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 满度值的2%(10MHz~160MHz)  
工作误差  ≤7% ± 满度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 满度值的2%(10MHz~160MHz)  
电感测量范围  4.5nH ~ 140mH  
电容直接测量范围  1 ~ 200pF  
主电容调节范围  18 ~ 220pF  
主电容调节准确度  100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %  
信号源频率覆盖范围  100kHz ~ 160MHz  
频率分段 ( 虚拟 )  100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz  
频率指示误差  3 × 10 -5 ± 1 个字  

介电常数介质损耗测试仪的操作步骤

介电常数Σ的测试
a. 再松开二极片,把被测样品插入二极片之间,调节平板电容器,到二极片夹住样品止(注意调节时要用测微杆,以免夹得过紧或过松),这时能读取的测试装置液晶显示屏上的数值,既是样品的厚度D2。改变Q 表上的主调电容容量,使Q 表处于谐振点上。
b. 取出平板电容器中的样品,这时Q 表又失谐,此时调节平板电容器,使Q 表再回到谐振点上,读取测试装置液晶显示屏上的数值记为D4
c. 计算被测样品的介电常数:
Σ=D2 / D4
5.介质损耗系数的测试
a. 重新把测试装置上的夹具插头插入到Q 表测试回路的“电容”两个端上。把被测样品插入二极片之间,改变Q 表上的主调电容容量,使Q 表处于谐振点上,读得Q 值,记为Q2。电容读数记为C2。
b. 取出平板电容器中的样品,这时Q 表又失谐,再改变Q 表上的主调电容容量,使Q 表重新处于谐振点上。读得Q 值,记为Q1。电容读数记为C1。
c. 然后取下测试装置,再改变Q 表上的主调电容容量,重新使之谐振,电容读数记为C3,此时可计算得到测试装置的电容为CZ = C3 -C1
d. 计算被测样品的介质损耗系数



 
式中:CZ 为测试装置的电容(平板电容器二极片间距为样品的厚度D2)
C0 为测试电感的分布电容(参考LKI-1 电感组的分布电容值)

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