压力传感器采用自主研发的技术，使用*的加工技术在SOI晶圆表面的250nm厚可加工材料层上制作出孤立的“岛”状硅敏感电阻阵列，用绝缘膜电隔离技术替代了传统的PN结电隔离技术，由于SOI芯片避免了PN隔离问题，相比于常规的扩散硅压力传感器，具有更好的稳定性，可以实现更高温度下的压力测量。

这是SOI的核心优势所在。

在封装结构方面采用小体积充油式耐高温高压结构，充以特殊的保护液，并进行高宽温区的老化和补偿等，环境适用性强、可靠性高、稳定性好，从而保证了本产品的高性能。

这种结构国内还没有其他单位采用，因此具*的竞争优势。

本产品国内*，*，不存在同类产品竞争问题。

国内从事SOI压力敏感器件研究单位基本没有实用的、可以批量生产的产品。建于我院的“传感器国家工程研究中心”，确立了我院在国内的行业主导地位。目前同类SOI高温系列在武器和特种环境工业过程控制领域得以广泛应用。产品*。

与国外同类产品相比，该产品具有更高的性价比、灵活的配套形式及我们优质的服务。

 硅电容差压传感器采用硅电容差压敏感芯片作为传感元件，采用微机械加工技术自主设计制作，层迭对称结构，采用差动电容原理检测压力信号，具有全固态，高精度，高可靠性，高稳定性，温度范围宽，温度、静压影响小，单向过载特性优异，易于后部数字化处理等特点。

它采用全不锈钢壳体，316L隔离膜  片封装、标准差压容室接口。可用于测量液体、气体的差压、流量等参数，可作为过程控制领域用差压变送器的核心部件。广泛应用于石油、化工、电力、冶金、轻工、食品、环保、锅炉控制、带压容器测量等。

    硅压阻复合采用硅集成压阻芯片作为传感元件，采用微机械加工技术自主设计制作，能够同时实现对现场中的差压、静压、温度等参数进行测量，具有精度高、体积小、重量轻、稳定性好等特点。采用四膜片静压和过载保护结构，全不锈钢壳体，316L隔离膜片封装及标准差压容室接口，可用来测量差压、静压、流量、液位、温度等参数，广泛应用于石油、化工、电力、造纸等工业领域的测量与过程控制。