H-CVD-1200-滑动式CVD系统-上海翰军实验设备有限公司手机版

详细介绍

概述：

这款配置的低真空CVD系统集1200℃真空管式炉，3通道气路系统和真空系统组成，可根据用户需要设计生产

（有双温区、三温区、多温区），可预抽真空（有高真空、低真空），通多种气氛（供气系统有质子流量控制

器和浮子流量控制器）。真空泵、阀均采用进口设备，性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术，具有控温

精度高，温冲幅度小，性能可靠，简单易操作等特点。CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷

基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

主要技术参数：

1200双温区加热炉	电压	AC220V 50/60Hz
	功率	4.5KW双温控
	加热区长	220mm，恒温区长度：100mm
	温度	1150℃
	工作温度	≤1100℃
	升温速率：	≤15℃/min
	温控系统	PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率， 30段可编程控制器
	恒温精度	±1℃
	石英管	φ 25/50/60/80*1400mm
三路质量流量控制系统	电压	185~245V/50Hz
	输出功率：	18W
	流量计标准量程：	50，100 ，200，500SCCM；（非特殊以氮气标定，量程可选定）
	工作温度：	5~45 oC
	工作压差：	0.1～0.5 MPa
	压力：	3Mpa
	准确度：	±1.5% FS
低真空系统	1.采用双极旋片真空泵，真空度可达5×10-¹Torr不锈钢充油真空压力表，良好的抗震性 2.安装过滤器
内置测温系统	测温元件可从加热区边缘延伸至温区中心法兰密封，保证炉管的密封性测温元件： N型热电偶
法兰及支撑	304不锈钢快速水冷法兰，长期水冷无腐蚀一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷可调节的法兰支撑，平衡炉管的受力支撑包含进气、出气、真空抽口针阀，KF密封圈及卡箍组合，4个密封硅胶圈等
可选配件	混气系统,中、高真空系统，各种刚玉坩埚，石英管，计算机控制软件，无纸记录仪，氧含量分析仪，冷却水循环机等。