PA2100 光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。二极管用氮化硅进行了钝化处理，氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上，由透环氧胶提供保护。二极管阵列能够以光电或光电导模式工作。

根据6路光电二极管的尺寸，PA2100有四种型号可选。

PA2033 光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。二极管用氮化硅进行了钝化处理，氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上，由透环氧胶提供保护。二极管阵列能够以光电或光电导模式工作。

PA1001  光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。二极管用氮化硅进行了钝化处理，氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上，由透环氧胶提供保护。二极管阵列能够以光电或光电导模式工作。