电气特性

兼容光电二极管

Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）

有效光敏面积

7 mm²（Ø 3.0 mm）；3.14 mm²（Ø 2.0 mm）

探测波长范围

0.4 - 2.1 um

信号带宽

DC - 5MHz

输出电压

±10V（Hi-Z 负载）；±5V（50Ω 负载）

跨阻增益

15000V/A（Hi-Z 负载）；7500V/A（50Ω 负载）

通用参数

信号输出接口

SMA

尺寸

54*51*23 mm³

重量

57g

工作温度范围

10℃ 至 50℃

存储温度范围

-25℃ 至 70℃

供电电源

±12V