主要特性与技术指标
适合功率器件表征的综合解决方案，高达 1500 A 和 10 kV
中等电流测量和高电压偏置（例如，500 mA，1200 V）
μΩ 导通电阻测量功能
高电压偏置时，可进行精确的 sub-pA 电平电流测量
在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 温度范围内进行全自动热测试
广泛的器件测量功能
可在高达 3000 V 直流偏置时执行全自动电容测量（Ciss、Coss、Crss 等）
10 μs 高功率脉冲测量
封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅极电荷测量
高电压/强电流快速切换选件，适用于 GaN 电流崩塌效应表征
多达 5 个高电压（3 kV）电源/测量通道，提供的灵活性
多达 5 个高电压（3 kV）电源/测量通道，提供的灵活性
改进的测量效率
在高电压和强电流测量之间自动切换，无需重新布线
自动测试电路形成，可用于封装器件和晶圆上器件的晶体管结电容（Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等）测量
具有互锁机制的标准测试夹具，可进行封装功率器件测试
支持高达 200 A 和 10 kV 的高功率晶圆上测试
示波器视图支持对应用电压和电流波形的验证
MS Windows EasyEXPERT 软件简化了数据管理和分析流程
可升级和可扩展的硬件体系结构
广泛的测量模块选择
支持具有高达 6 个连接引脚的高功率器件