整流二极管是由半导体锗或硅等材料构成，主要用于将交流电转变为直流电的半导体器件。其的特性就是单向导电性，即反向击穿电压很高，电流基本只能从正极流入，负极流出。硅整流二极管反向击穿电压高、电流大、反向漏电流小、高温性能较好、工作频率较低（一般在几十KHz以下）。整流二极管一般应用于低频半波整流电路中，只有连接起来组成整流桥则可达到全波段整流。 整流二极管的技术参数：1、整流电流(IF)，二极管正常工作时的电流。2、反向电压(VR)，二极管被允许施加的电压，若电压高于此值则二极管反向漏电流剧增，持续会导致二极管被击穿。3、反向电流(IR)，二极管在反向电压下允许通过的反向电流，此值越小越好。4、击穿电压(VB)，二极管被反向击穿的电压。5、工作频率(FM)，二极管正常工作的频率。6、反向恢复时间(TRR)，在规定条件下的反向恢复时间。7、零偏压电容(CO)，二极管中间的电容值。 广大客户在整流二极管的选型中请认真对照上述参数，以免在使用过程中造成不必要的麻烦。 长电二极管，整流二极管系列型号及参数表：整流二极管PDIFVRVF封装形式(mW)(mA)(V)(V)2CZ400435010004001.1SOD-1232CZ400535010006001.1SOD-1232CZ400635010008001.1SOD-123FM40013501000501.1FM400235010001001.1FM400335010002001.1FM400435010004001.1FM400535010006001.1FM400635010008001.1FM4007350100010001.1手 机： 王小姐Q Q：电 话：：办公地址：东莞市塘厦大道北552号3H创客中心312电子邮箱：goodonecn