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VIGO的ENT外延部门生产III-V(GaAs-,InP-)相关的半导体化合物,在外延方面有35年的经验,并且能够根据客户需求提供定制服务。VIGO利用MOCVD外延技术制备了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半导体的原子工程外延层,具有德国柏林厂商Laytec的监控生产系统,拥有水平层流反应器,进行基片载流子的多次旋转产品。这条新产品线扩展了VIGO公司的产品组合,为各种微电子和光子应用提供外延服务,下游的应用包含三极管,二极管,激光器,探测器等。具有以下特点:
XRD曲线:
产品纯度一致性:
表面粗糙度:
量子井:
半导体类型:
外延晶圆类型:
GAAS BASED PRODUCTS | INP BASED PRODUCTS | ||
AlGaAs/GaAs | QW edge emitting lasers VCSELs FETs, HEMTs, Schottky diodes varactors | InGaAsP/InP | strained or matched QW edge emitting lasers and SOAs 1300 – 1600nm |
GaAsP/GaAs | strained QW edge emitting lasers | InGaAs/InP | QW edge emitting lasers |
InGaAsP/GaAs | QW lasers 808nm | InGaAsP/InP | VCSEL structures |
InGaAs/AlGaAs/GaAs | strained QW lasers | InAlGaAs/InP | edge emitting and VCSEL structures |
InAs/GaAs | QD lasers | InGaAsP/InP | passive devices |
AlGaAs/GaAs | passive waveguides | InGaAs | photodetectors |
Manufactured to specification | InAlAs/InGaAs/InP | HEMTs | |
Manufactured to specification |