瞬态电压抑制二极管-1.5KE6.8(C)A-440(C)A
瞬态电压抑制二极管-1.5KE6.8(C)A-440(C)A

1.5KE6.8(C)A到440(C)A瞬态电压抑制二极管-1.5KE6.8(C)A-440(C)A

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2022-05-04 14:45:27
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产品简介

在瞬态峰值脉冲电流作用下,流过TVS的电流,由原来的反向漏电流ID上升到IR时,其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR,TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现,通过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的大箝位电压以下。随后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS两极电压也在下降,终恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子元器件的整个过程

详细介绍

TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。其正向特性与普通二极管相同;反向特性是典型的PN结雪崩装置。

在瞬态峰值脉冲电流作用下,流过TVS的电流,由原来的反向漏电流ID上升到IR时,其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR,TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现,通过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的大箝位电压以下。随后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS两极电压也在下降,终恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子元器件的整个过程。

参数

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①大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。

VWM是TVS大的作的大直流或脉冲电压。当反向电压加入TVS的两极间时,它处于反向关闭状态,其电流应小于或等于其大反向泄漏电流ID。

②小击穿电压VBR和击穿电流IR

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VBR是TVS小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,加入TVS两极间的电压为其小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。VWM=0.85VBR用于±5%VBR;VWM=0.81VBR用于±10%VBR。

③大箝拉电压VC和大峰值脉冲电流IPP

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当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为钳位因子,一般在1.2~1.4之间。

④电容量C

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电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C过大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。

⑤大峰值脉冲功耗PM

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PM是TVS能承受的大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种TVS的PM值,请查阅有关产品手册。在给定的大箝位电压下,功耗PM越大,其浪涌电流的承受能力越大;在给定的功耗PM下,箝位电压VC越低,其浪涌电流的承受能力越大。此外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且TVS能承受的瞬态脉冲不重复,设备规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%。如果电路中有重复脉冲,应考虑脉冲功率的积累,这可能会损坏TVS。

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⑥箝位时间TC

TC是TVS两端电压从零到小击穿电压VBR的时间。对单极性TVS一般是1×10-12秒;对双极性TVS一般是1×10-11秒。


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