在瞬态峰值脉冲电流作用下，流过TVS 的电流，由原来的反向漏电流ID上升到IR 时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM 上升到击穿电压VBR，TVS 被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS 的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的瞬态抑制二极管箝位电压以下。尔后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS 两极的电压也不断下降，最后恢复到起始状态。这就是TVS 抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的整个过程。

①瞬态抑制二极管反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM 是TVS 瞬态抑制二极管连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS 的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其瞬态抑制二极管反向漏电流 ID。②最小击穿电压VBR 和击穿电流IRVBR 是TVS 最小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS 是不导通的。当TVS 流过规定的1mA 电流（IR）时，加入TVS 两极间的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS 的VBR 与标准值的离散程度，可把TVS 分为±5%VBR和±10%VBR 两种。对于±5%VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10%VBR 来说，VWM=0.81VBR。③瞬态抑制二极管箝拉电压VC 和瞬态抑制二极管峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲 峰值电流IPP 流过TVS 时，在其两极间出现的瞬态抑制二极管峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC 、IPP反映 TVS 器件的浪涌抑制能力。VC 与VBR 之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。④电容量C 是TVS 雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C 的大小与TVS 的电流承受能力成正比，C 过大将使信号衰减。因此，C 是数据接口电路选用TVS 的重要参数。⑤瞬态抑制二极管峰值脉冲功耗PM，M是TVS 能承受的瞬态抑制二极管峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种TVS 的PM 值，请查阅有关产品手册。在给定的瞬态抑制二极管箝位电压下，功耗PM 越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM 下，箝位电压VC 越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且TVS 所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01%，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的“累积”，有可能使TVS 损坏。⑥箝位时间TC，TC 是TVS两端电压从零到最小击穿电压VBR 的时间。对单极性TVS一般是1×10-12秒，对双极性TVS一般 是1×10-11 秒。