赛福电容 1200vdc 2000uf CBB电容

脉冲电容赛福电容 1200vdc 2000uf CBB电容

参考价: 订货量:
1600 1

具体成交价以合同协议为准
2022-10-02 09:25:27
461
属性:
产地:国产;加工定制:是;2000uf :340*120*265;
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产地
国产
加工定制
2000uf
340*120*265
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产品简介

使用地点 :任何地点;

·使用标准:JB/T8168 或客户要求
广泛应用于充磁机、退磁机,激光电源,储能焊接机等;直流高压设备、 整流滤波装置振荡回路、

连续脉冲装置,冲击电压发生器、冲击电流发生器、冲击分压器及其他非 连续脉冲装置。

详细介绍

.直流储能脉冲电容

 

概述: 

     “赛福牌” 金属化薄膜脉冲 脉冲(储能)电容器能够在较长时间内充电,而在短时间内放电,从而形成一个较大的脉冲功率。

脉冲功率的获取是靠已充电的脉冲电容器组,通过主电抗器短时振荡放电获得的,而脉 冲电容器组是在试验前由功率不大的充电装置,

用较长的时间充电,振荡放电为数十毫秒,从而提高了试验功率与电源功率之比,提高 了经济效率。

  

主要特点:

 ·功耗低,适宜于功率大 、电流大、耐压高、高浪涌应用;

 ·具有良好的容量和体积 性能比;

 ·随温度变化小,使用寿 命增加;

 ·反峰电压可达80%;

 ·高储能,耐高脉冲电流能力;

 ·自恢复特性好,性能稳 定;

 ·低电感,低ESR;

 ·外壳材料为不锈钢或冷 轧板、安装方便 。

  

主要技术参数:

   ·容量范围 :C=100μF~6000μF;

   ·容量偏差 :一般±5%,根据要求可以更小;

   ·额定电压 :Un=1KV~5KV;

   ·等效串联 电阻:ESR≤5mΩ

   ·反峰电压 可达80%以上;

    ·充放电次数:可达2,000,000次; 

   ·损耗角正 切:tgδ≤0.002(100Hz);

   ·使用环境 温度宽:-40℃~+75℃;

   ·使用地点 :任何地点;

   ·使用标准:JB/T8168 或客户要求。

 

 主要产品规格: 

产品型号

电压(KV)

容量(μF)

MFO(D)1K001007

1.0

1000

MFO(D)1K002007

1.0

2000

MFO(D)1K005007

1.0

5000

MFO(D)1K205006

1.2

500

MFO(D)1K201007

1.2

1000

MFO(D)1K202007

1.2

2000

MFO(D)1K505006

1.5

500

MFO(D)1K501007

1.5

1000

MFO(D)1K501507

1.5

1500

MFO(D)1K602006

1.6

200

MFO(D)1K605006

1.6

500

MFO(D)1K601007

1.6

1000

MFO(D)1K601507

1.6

1500

MFO(D)2K002006

2.0

200

MFO(D)2K005006

2.0

500

MFO(D)2K001007

2.0

1000

MFO(D)2K205006

2.2

500

MFO(D)2K201007

2.2

1000

MFO(D)2K502006

2.5

200

MFO(D)2K505006

2.5

500

MFO(D)3K002006

3.0

200

MFO(D)3K005006

3.0

500

MFO(D)4K002006

4.0

200

MFO(D)4K005006

4.0

500

MFO(D)4K502006

4.5

200

MFO(D)4K505006

4.5

500

MFO(D)5K002006

5.0

200

MFO(D)5K005006

5.0

500

以上数据仅供参考,根据用户要求,我们可以设计、制造其它规格要求的 脉冲电容器。

 

 

 

 

广泛应用于充磁机、退磁机,激光电源,储能焊接机等;直流高压设备、 整流滤波装置振荡回路、

连续脉冲装置,冲击电压发生器、冲击电流发生器、冲击分压器及其他非 连续脉冲装置。


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