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半导体器件动态参数测试系统
系统概述
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。
半导体器件动态参数测试系统，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。
基础规格
环境温度：25～35℃
相对湿度：小于75%
大气压力：86Kpa～ 106Kpa
电网电压：AC220V±10%无严重谐波
电网频率：50Hz±1Hz
参数/条件
IGBT开通特性测试 | IGBT关断特性测试 | 测试气动夹具 | |||
测试参数 | 开通延迟 tdon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 关断时间tdoff | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 压力： 5000PA的品牌空压机供气。 控温范围： 25℃-200℃ 控温精度： ±1.0℃±1% 器件接触： 20个探针的接触矩阵
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上升时间 tr | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 下降时间tf | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | ||
开通能量 Eon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 关断能量Eoff | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | ||
测试条件 | 集电极电压Vce | 50-3500V±5% 根据用户要求定制 | 集电极电压Vce | 50-3500V±5% 根据用户要求定制 | |
集电极电流Ice | 50-1500V±5% 根据用户要求定制 | 集电极电流Ice | 50-1500V±5% 根据用户要求定制 | ||
负载L | 20-1000uH | L负载 | 20-1000uH | ||
栅极电压Vge | ±15V±3%±0.2V | ||||
短路测试Sct | 一次短路 / 脉宽10uS / 短路电流10KA | ||||
二极管反向恢复测试Drr | 反向恢复电流 / 反向时间 / 反向di / dt | ||||
雪崩耐量测试系统
雪崩耐量测试仪是测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。
电压频率：50Hz±1Hz
环境温度：25～35℃
工作湿度：温度不高于+30℃时，相对湿度5%-80%。
温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%，无冷凝。
工作电压：AC220V±10%无严重谐波
系统功耗：320W
配置 | 测试范围 | 测试参数 | 条件 | 范围 | |
电压 1000V | IGBTs 绝缘栅双极型晶体管 | EAS/单脉冲雪崩能量 | VCE | 20V-4500V | 20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V |
电流 200A | MOSFETs MOS场效应管 | EAR/重复脉冲雪崩能量 | Ic | 1mA-200A | 1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA |
DIODEs 二极管 | IAS/单脉冲雪崩电流 | Ea | 1J-2000J | 1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J | |
PAS/单脉冲雪崩功率 | IC检测 | 50mV/A（取决于传感器） | |||
感性负载 | 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH | ||||
重复间隙时间 | 1-60s可调（步进1s）重复次数：1-50次 | ||||
