1.半导体超声波清洗机，是指半导体材料超声波清洗机，硅材料清洗是其中常见的应用之一，硅片清洗对半导体工业的重要性早在50年代初就已引起人们的高度重视，这是因为硅片表面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性、和成品率。随着微电子技术的飞速发展以及人们对原料要求的提高，污染物对器件的影响也愈加突出。

   20世纪70年代在单通道电子倍增器基础上发展起来一种多通道电子倍增器。微通道板具有结构简单、增益高、时间响应快和空间成像等特点，因而得到广泛应。它主要应用于各种类型的像增强器、夜视仪、量子位置探测器、射线放大器、场离子显微镜、超快速宽频带示波器、光电倍增器等。微通道板是一种多阵列的电子倍增器,是微光像增强器的核心部件。MCP的制作工艺周期长且复杂,表观疵病是制约MCP成品率的关键因素之一。在MCP的工艺制造过程中,不可避免遭到尘埃、金属、有机物和无机物的污染。这些污染很容易造成其表面缺陷及孔内污垢,产生发射点、黑点、暗斑等,导致MCP的良品率下降,使得管子质量不稳定以至失效,因此在MCP的制造过程中利用超声波清洗技术去除污染物十分重要。

  2.半导体超声波清洗机原理：声波空化作用是指存在于液体中的微气核空化泡在声波的作用下振动，当声压达到一定值时发生的生长和崩溃的动力学过程,是超声波以每秒两万次以上的压缩力和减压力交互性的高频变换方式向液体进行透射。在减压力作用时，液体中产生真空核群泡的现象，在压缩力作用时，真空核群泡受压力压碎时产生强大的冲击力，由此剥离被清洗物表面的污垢，从而达到精密洗净目的。 在超声波清洗过程中，肉眼能看见的泡并不是真空核群泡，而是空气气泡，它对空化作用产生抑制作用降低清洗效率。只有液体中的空气气泡被脱走，空化作用的真空核群泡才能达到效果。空化作用一般包括3个阶段：空化泡的形成、长大和剧烈的崩溃。当盛满液体的容器通入超声波后，由于液体振动而产生数以万计的微小气泡，即空化泡。这些气泡在超声波纵向传播形成的负压区生长，而在正压区迅速闭合，从而在交替正负压强下受到压缩和拉伸。在气泡被压缩直至崩溃的一瞬间，会产生巨大的瞬时压力，一般可高达几十兆帕至上百兆帕。 Suslick等人测得：空化可使气相反应区的温度达到5 200 K左右，液相反应区的有效温度达到1 900 K左右，局部压力在5．O5× 10 kPa，温度变化率高达10。K/s，并伴有强烈的冲击波和时速达400 km 的微射流。这种巨大的瞬时压力，可以使悬浮在液体中的固体表面受到急剧的破坏。通常将超声波空化分为稳态空化和瞬间空化2种类型：稳态空化是指在声强较低(一般小于10 w/cm )时产生的空化泡，其大小在其平衡尺寸附近振荡，生成周期达数个循环。当扩大到使其自身共振频率与声波频率相等时，发生声场与气泡的能量耦合，产生明显的空化作用。瞬态空化则是指在较大的声强(一般大于1O w/cm )作用下产生的生存周期较短的空化泡(大都发生在1个声波周期内)。

  3.半导体超声波清洗机适用范围：主要用于半导体材料的清洗，生产加工过程工序间或终端的清洗。

多晶硅超声波清洗加工设备，可广泛用于IC生产及半导体元器件生产中晶片的湿法化学工艺。该设备可有效去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。

炉前（RCA）清洗：扩散前清洗

光刻后清洗：除去光刻胶。

氧化前自动清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。

抛光后自动清洗：除去切、磨、抛的沾污。

外延前清洗：除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。

合金前、表面钝化前清洗：除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣。

离子注入后的清洗：除去光刻胶，SiO2层。

扩散预淀积后清洗：除去预淀积时的BSG和PSG。

CVD后清洗：除去CVD过程中的颗粒。

附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。