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maxLIGHT无狭缝平场XUV光谱仪和光束分析仪
面议极紫外、X射线等产品现货供应
面议三维13.5nmEUV/SXR复制镜
面议MiniPIX SPRINTER Timepix2 光子计数X射线探测器
面议X射线相衬、暗场成像套件
面议激光驱动高亮EUV光源
面议hiXAS桌面X射线吸收精细结构谱仪5-12KeV / 台式XAFS
面议极紫外、软X射线内真空CCD相机-LOTTE-s光谱系列
面议X射线微焦源-成像
面议AdvaPIX QUAD Timepix3 光子计数X射线探测器
面议WidePIX 2(1)X5 Medipix3 光子计数X射线探测器
面议proXAS桌面近边X射线吸收精细结构谱仪
面议公司介绍:
NTT-AT有着多年的X射线、极紫外光学配件的研发与销售经验。在范围内,通过与众多来自同步辐射科学,阿秒科学,高强度物理学等领域的科学研究者开展紧密合作,积累了大量*的设计与制造技术,其产品在业内享有很高的评价。NTT-AT提供的菲涅尔波带片有着高分辨率,高聚光效率等特点,适合被各种辐射光设施使用。另外,分辨率测试卡被当作业界的标准。不只是学术研究,在X射线的检查装置开发现场也被广泛使用。XUV镜片,XUV滤波片不仅对阿秒科学有着帮助,对下一代的光刻研究也有这重要作用。NTT-AT将在XUV,EUV, X线领域给予客户在研发上的帮助。
产品介绍:
世界上只有恩梯梯技术公司生产基于SiC膜的 FZP
优点:
恩梯梯技术公司的由SiC膜和Ta吸收体图案组成的菲涅耳波带板(FZP)具有出色的高耐X射线辐射性、高分辨率和高对比度。
只有恩梯梯技术公司提供基于SiC膜的菲涅耳波带板(FZP)具有出色的高耐X射线辐射性。恩梯梯技术公司的FZP由干法蚀刻的Ta组成。吸收体图案清晰,S/N比高,成像缺陷少, 能理想地应用于X射线显微镜、X射线微光束辐射和X射线成像。
另外,还提供用于软X射线和极紫外(EUV、XUV)领域的Ta图案/SiN膜型FZP和Au板图案/SiN 膜型FZP。并提供台阶式(基诺全息照片)FZP。
能用于X射线显微镜、EUV显微镜、X射线微光束辐射和同步加速器辐射光束监视等各种X射线应用。
出色的高耐X射线辐射性
最小区域宽度达25纳米
可定制FZP
可按要求定制设计FZP,满足用户的特殊X射线能量、光学设置和聚焦、图像性能。如果本公司的标准产品商品目录中没有所需的产品,请联系我们。
台阶(基诺全息照片)式
最小区域宽度 | 25纳米 |
直径 | 5毫米 |
膜材料 | SiN, SiC |
膜厚度 | 0.2至2微米 |
吸收体材料 | Ta |
吸收体厚度 | 0.1至2微米 |
Si基板形状 | 10平方毫米 |
Si基板厚度 | 1毫米 |
※我们可与用户商讨不同需求。
型号 | 宽高 比 | 膜 材料 | 膜 厚度 (微米) | ΔRn (纳米) | D (微米) | N | Tm (纳米) |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FZP-S38/84 | 4.2 | SiN | 0.15 | 38 | 84 | 550 | 160 |
FZP-S50/80 | 5 | SiN | 0.2 | 50 | 80 | 400 | 250 |
FZP-S40/155 | 5 | SiN | 2 | 40 | 155 | 970 | 200 |
FZP-S50/330 | 8 | SiN | 1 | 50 | 330 | 1,650 | 400 |
FZP-S86/416 | 8 | SiN | 2 | 86 | 416 | 1,200 | 700 |
FZP-100/155 | 8 | SiN | 2 | 100 | 155 | 388 | 800 |
FZP-173/208 | 5.8 | SiN | 2 | 173 | 208 | 300 | 1,000 |
FZP-200/206 | 8 | SiN | 2 | 200 | 206 | 255 | 1,600 |
FZP-C234/2500 | 0.6 | SiC | 0.2 | 234 | 2,500 | 2,670 | 150 |
※规格可能会变更,恕不预先通告。
Rn:最外区域宽度
D:直径
N:全区域
Tm:Ta厚度
标准交付周期:12个星期
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菲涅耳波带板(FZP)直径:250微米,Ta厚度:125纳米,最外区域宽度:25纳米,膜:SiC 2.0微米 | |
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菲涅耳波带板(FZP)直径:100微米,Ta厚度:2.5微米,最外区域宽度:250纳米,膜:SiN 2.0微米 | |
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菲涅耳波带板(FZP)直径:100微米,Ta厚度:4.0微米,最外区域宽度:400纳米,膜:SiC 2.0微米 | |
菲涅耳波带板(FZP)中间区域的SEM 图:台阶(基诺全息照片)式菲涅耳波带板(FZP)、Ta图案 |