光子辐射显微镜是为集成电路失效分析设计的Photoemission光子辐射定位系统,,可采集集成电路背部发射的红外光子,观察分析半导体的光子辐射,进而对半导体集成电路失效分析测试。
光子辐射Photoemission视图可帮助用户定位工作中的集成电路晶体管,确定重要的有效区域,并确定执行故障注入和/或定位侧槽工具。

光子辐射显微镜具有如下两种观察模式：
标准红外成像模式：可从集成电路背部透过硅观察集成电路(如下图1）
光发射成像模式：可观察集成电路元器件的光电发射辐射（如下图2）
上述两种图像可重叠起来,更好观测失效的电子元器件Z（如下图3）

图1：集成电路背部的红外成像图
图2： 光子辐射模式成像图
图3： 光子辐射图与红外成像图的叠加
光子辐射显微镜特点
非常适合集成电路背部光子辐射观测
快速工作能力，仅仅需要数百毫秒就可获得高质量光子辐射图像
可添加激光注入故障分析模块功能
多种相机供选择
光子辐射显微镜规格参数
光谱范围：900-1700nm
分辨率：640x512像素
像素大小：15um x 15um
制冷方式：TEC