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合肥市所在地
回转放气炉 BTF-700C-III-R
面议间歇式CVD回转炉 BTF-1200C-III-150-CVD
面议智能型大口径高真空退火炉 BTF-1100C-IIIA-05
面议单温区立式搅拌炉 BTF-700C-VT-50
面议智能升降钟罩炉 BTF-1200C-BELL
面议小型浮动催化系统 BTF-1500C-CVD
面议大口径立式高温炉 BTF-1200C-VI-VT-530
面议箱式滑轨热压炉 MF-1200C-SL-VP
面议公斤级回转炉 BTF-1200C-III-R-150
面议粉体碳纳米管生长设备 BTF-1200C-3VT-5Z
面议1200℃双温区CVD系统(低真空、高真空)型号:BTF-1200C-II-CVD
面议双温区滑轨式PECVD系统PECVD-II-500A
面议
此款设备进料端配置对面双工位手套箱,手套箱内配置轨道及操作平台,方便载料管的运输和装料。升华机出料端配置双面四工位手套箱,手套箱内设置有轨道及升降操作平台方便取料、封装及运输手套箱可内衬四氟或喷涂特氟龙起到防腐作用,半导体材料升华仪根据材料升华温度、分子量的差异,对于材料进行提纯,参数准确,工艺可靠稳定,实验结果表明,单次升华可大幅度降低有机材料中的杂质金属离子浓度,将材料的纯度提升一至三个数量级。整个操作过程材料与大气隔绝,避免了大气中水、氧的影响以及灰尘的污染,是制备高纯度半导体前驱体及相关材料的。
技术参数:
设备总长3800mm*1800mm*1850mm,炉体外壳采用镜面 SUS304 不锈钢。
石英外管尺寸:φ300X3000X5mm,高纯石英材质。
Max 加热温度:800℃;稳温精度:±1℃。
温区:8个温区,每个温区上下个两个控温点,共16个温控点
炉膛材质:进口氧化铝陶瓷纤维
炉膛尺寸分布:150+700+200+320+320+320+200+150mm
加热丝材质:进口Kanthal电阻丝
显示屏:22寸PC
极限真空(空态、常温):5.0×10-5Pa
控制系统:全自动/半自动/手动
左端单工位手套箱连接左端法兰,长度: 1220mm;深度:750mm;高度: 900mm
右端对面双工位手套箱连接右端法兰,长度: 2440mm;深度:1000mm;高度: 900mm