1200℃PECVD系统

KJ-PECVD-1200-50*300-F31200℃PECVD系统

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具体成交价以合同协议为准
2023-07-14 07:58:52
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产品简介

产品介绍:PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜

详细介绍

产品介绍:
    PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
 
产品用途:
    温度范围宽;溅射区域长;整管可调;精致小巧,性价比高,可实现快速升降温,是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等的理想选择,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
 
产品参数:
产品名称 1200℃PECVD系统
产品型号 KJ-PECVD-1200-50*300-F3
加热系统 显示 LED
温度 1200℃
长期工作温度 ≤1100℃
升温速率  0~15℃/min (max. 20℃/min)
温区 300mm
加热元件 钼棒
热电偶 K type
温度均匀性 ±1℃
炉管尺寸 60 x 1200mm
材质:氧化铝
温度控制 通过可控硅功率控制进行PID自动控制
加热过程 30步可编程
电压 220V,50 Hz,单相 3KW
工作压力 0.02MPa
真空系统 旋片泵
包括 KF25 适配器、真空泵组波纹管和带轮子的移动柜。
 
冷态极限真空10Pa。   
真空计 Inficon 数显真空计
真空法兰 带阀门和针头的不锈钢真空法兰
质量流量计 流量范围 CO2(流量范围:0-200 sccm
CH4(流量范围:0-200 sccm)
N2 流量范围(流量范围:0-200 sccm)
准确性 ±1.5 % F.S.
重复精度 ±1.5 % F.S.
响应时间 ≦10sec
工作压差范围 0.1~0.5MPa
耐压性 3MPa
温度系数 零:≤±0.2% F.S./℃; 跨度:≤±0.2% F.S./℃
工作环境温度 5~45℃
输入信号 0 V ~ +5.00 V
输出信号 0 V ~ +5.00 V
等离子射频发生器 输出功率:0 -300W可调,±1%稳定性
射频频率:13.56 MHz ±0.005% 稳定性
反射功率: 120W
电源稳定性指标:±0.1%
匹配:自动
噪音:<50 分贝。
整体效率:≧70%

 

 

 

 1、我公司对所供设备提供质保一年保修服务(易损件除外),在保修期内因设备质量原因造成的设备损坏或故障,均予以免费维修。保修期满后,仍提供终身的、优质的维修服务。
 2、在设备使用过程中如遇故障的,我公司将尽快做出处理方案,确保设备正常运行。
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