产品介绍：
该系统以含钼电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，炉管两端能不锈钢法兰密封，不锈钢法兰上安装有气嘴、阀门和压力表，真空泵接口，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
结构组成：
定制立式PECVD设备，由真空立式管式炉、石英真空室、射频电源、供气系统、真空测量系统组成。

主要特点：
     1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
     2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
     3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
     4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
     5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

应用范围：
    PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 该系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。

技术参数：

 1、我公司对所供设备提供质保一年保修服务（易损件除外），在保修期内因设备质量原因造成的设备损坏或故障，均予以免费维修。保修期满后，仍提供终身的、优质的维修服务。
 2、在设备使用过程中如遇故障的，我公司将尽快做出处理方案，确保设备正常运行。
 3、我公司设提供免费的设备操作培训和简单故障排除维修培训。
 4、我公司技术人员可提供(产品安装调试、整机维护、技术讲解及操作指导等)。
 5、本公司可提供运输服务，包装方式均按照标准安全包装进行。随机技术资料齐全（用户手册、保修手册、有关资料及配件、随机工具等）。
 6、本公司所有产品均有欧盟CE质量认证。