3F/PIC快速反应质谱仪

3F/IDP 离子脱附分析质谱仪

PIC是带脉冲离子计数检测器的3F质谱仪，具有高灵敏度，

Hiden  IDP是三级过滤质谱/能量分析仪，用于研究ESD、PSD

快速测量的特点。

或UHV-TPD中释放的低能量粒子。是电子、光子激发脱附

● UHV TPD

研究中，进行离子、中性粒子、自由基的质量、能量

三级过滤四极质谱仪

● 表面科学，单晶格研究

● 释出组分的快速质量、能量监测

● 分子束研究

● 光致解吸研究

● 选通输入分析，进行瞬时/TOF 研究

特点：三级过滤四极质谱仪

● 用表观势能谱，分析母体和自由基

● 质量数：1～2500amu

● ESD和PAS阈值,离子能量分布

● 脉冲离子计数器

● 正、负离子谱，键角信息

● 增强的抗污染能力

● 泄漏探测/ 实际泄漏分析/脱附研究

● 测量速度：500点/秒

● 4透镜离子光学系统/电子轰击离子源

● 动态范围：10^-7

● 信号选通1μs分辨率

3F/EPIC质谱仪

IMP刻蚀终点检测仪

EPIC是带脉冲离子计数、四极杆偏压（Pulse Ion Counting and

IMP是自带差式泵，简洁的二次离子质谱仪，适于分析离

Pole Bias Control）控制的3F质谱仪，用于高精密科学分析、

子刻蚀过程中的二次离子和中子。是专业检测刻蚀终点的

过程研究以及中性粒子、自由基、离子的UHV分析。

仪器，用于离子刻蚀控制以及优化工艺质量。

● 中性粒子、自由基，正、负离子

● 终点分析

● 电子附着研究

● 靶污染检测

● 表面科学

● 质量控制/SPC

● 分子束研究

● 残余气体分析

● UHV TPD

特点：

特点：

● 高灵敏度的 SIMS/MS，带脉冲离子计数检测器

● 质量数范围可选至2500amu

● 三级过四极质谱仪，标准配置为300amu

● 离子能量分布扫描±100eV（1000eV可选）

● 离子光学器件，带能量分析器和完整的离子源

● 当分析能量（或质量）分布变化与时间的关系，或进行

● 真空规提供过压保护

TOF研究时，信号选通分辨率为1µs

● 稳定性好：超过24h，峰高变化小于±0.5%

● 可升级至等离子体分析或SIMS分析仪