品牌
经销商厂商性质
深圳市所在地
星际金华原装供应CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存储器/P沟道场效应晶体管,量大价优,质量有保证,现货出售可提供样品。
深圳市星际金华提供CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存储器/P沟道场效应晶体管 因市场价格变动幅度较大 实际交易请致电询问
CAV25M01VE EEPROM存储器
存储器类型 非易失
存储器格式 EEPROM
技术 EEPROM
存储容量 1Mb (128K x 8)
存储器接口 SPI
时钟频率 10MHz
写周期时间 - 字,页 5ms
电压 - 电源 2.5V ~ 5.5V
工作温度 -40°C ~ 125°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
NVGS3443T1G P沟道场效应晶体管
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.1A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 65 毫欧 @ 4.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 565pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散(大值) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6