EEPROM存储器/P沟道场效应晶体管
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CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存储器/P沟道场效应晶体管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2019-11-22 17:52:24
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深圳市星际金华实业有限公司

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产品简介

星际金华原装供应CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存储器/P沟道场效应晶体管,量大价优,质量有保证,现货出售可提供样品。

详细介绍

星际金华原装供应CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存储器/P沟道场效应晶体管,量大价优,质量有保证,现货出售可提供样品。

深圳市星际金华提供CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存储器/P沟道场效应晶体管  因市场价格变动幅度较大   实际交易请致电询问

CAV25M01VE EEPROM存储器

存储器类型 非易失

存储器格式 EEPROM

技术 EEPROM

存储容量 1Mb (128K x 8)

存储器接口 SPI

时钟频率 10MHz

写周期时间 - 字,页 5ms

电压 - 电源 2.5V ~ 5.5V

工作温度 -40°C ~ 125°C(TA)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装 8-SOIC

NVGS3443T1G P沟道场效应晶体管 

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.1A(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 65 毫欧 @ 4.4A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 565pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散(大值) -

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 6-TSOP

封装/外壳 SOT-23-6

 

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