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深圳市星际金华货源提供STD8NF25/ICE2PCS06G场效应晶体管/功率因数修正,*现货 有意者价格方面可详谈
STD8NF25场效应晶体管
此功率MOSFET已使用意法半导体*的STripFET工艺,专为减少输入而设计电容和栅极电荷。这使得适合用作主开关的设备*的高效隔离式DC-DC电信和计算机应用的转换器,和低栅极电荷驱动的应用要求。
技术 MOSFET(金属氧化物)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 420 毫欧 @ 8A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 500pF @ 25V
功率耗散(大值) 72W(Tc)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
切换应用
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- 汽车
ICE2PCS06G功率因数修正
•无铅DIP和DSO封装
•直接感应,输入欠压检测
•输出功率可由外部检测电阻控制
•修整,内部固定开关频率(65kHz)
•易于使用,很少有外部组件
•平均电流控制
更大的用户灵活性
•直接感应,输入欠压检测
•启动(SoftStart)时间短
•修整后的内部参考电压(3V + 2%at25o C)
•逐周期峰值电流限制
•开环检测
•增强的动态响应
•无铅DIP和DSO封装
•直接感应,输入欠压检测
•输出功率可由外部检测电阻控制
•修整,内部固定开关频率(65kHz)
•易于使用,很少有外部组件
•平均电流控制
更大的用户灵活性
•直接感应,输入欠压检测
•启动(SoftStart)时间短
•修整后的内部参考电压(3V + 2%at25o C)
•逐周期峰值电流限制
•开环检测
•增强的动态响应
描述
该IC在具有平均电流控制的CCM中运行,并且仅在轻载条件下在DCM中使用。切换频率被修整并内部固定为65kHz。都电流和电压环路补偿在外部完成允许*的用户控制。有多种保护功能可用于确保系统运行条件安全。内部参照-微调(3V + 2%)以确保精确的保护和输出控制级别。
《STD8NF25/ICE2PCS06G场效应晶体管/功率因数修正》此产品均为星际金华*现货供应,实单者可上门看货,感谢你的配合!!!