星际金华*IPB180N04S4-00 N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管，*行货   量大价优

深圳市星际金华供应IPB180N04S4-00 N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管，只做原装   货源充足

功能摘要：
N通道-增强模式
符合AEC
MSL1高达260°C的峰值回流
175°C工作温度
绿色产品（符合RoHS）
超低Rds（on）
经过100％雪崩测试

好处：
世界上低的40V RDS
大电流能力
低的开关和传导功率损耗，以实现大的热效率
坚固耐用的包装，具有的质量和可靠性
优化的总栅极电荷使驱动器输出级更小

目标应用：
OptiMOS-T2 40V适用于各种EPS电机控制，三相和H桥电机，HVAC风扇控制，电动泵等，尤其是与PWM控制结合使用时。
因此，基于英飞凌*沟槽技术的OptiMOS-T2 40V产品将成为节能，减少二氧化碳排放，电子驱动器等下一代汽车应用的基准。

产品参数值

制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET  
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-263-7 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 40 V 
Id-连续漏极电流: 180 A 
Rds On-漏源导通电阻: 800 uOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V 
Qg-栅极电荷: 286 nC 
小工作温度: - 55 C 
大工作温度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 300 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
资格: AEC-Q101 
商标名: OptiMOS 
高度: 4.4 mm  
长度: 10 mm  
系列: OptiMOS-T2  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 9.25 mm  
商标: Infineon Technologies  
下降时间: 58 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 24 ns  
工厂包装数量: 1000  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 67 ns  
典型接通延迟时间: 53 ns  
单位重量: 1.600 g

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