NOR闪存

M29W160EB70N6ENOR闪存

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2019-11-07 15:20:48
1228
属性:
产地:进口;加工定制:否;
>
产品属性
产地
进口
加工定制
关闭
深圳市星际金华实业有限公司

深圳市星际金华实业有限公司

免费会员
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

深圳市星际金华实业有限公司*M29W160EB70N6E NOR闪存,M29W160E是16 Mbit(2Mb x8或1Mb x16)非易失性存储器,可以读取,擦除和重新编程。这些操作可以按照使用一个低压(2.7至3.6V)形成供应。上电时,内存默认为读取模式,可以以相同方式读取作为ROM或EPROM。内存分为多个块,可以独立擦除,因此可以保留有效数据,同时删除旧数据。

详细介绍

深圳市星际金华实业有限公司*M29W160EB70N6E NOR闪存,*,质量可保证!!!

星际金华库存供应M29W160EB70N6E NOR闪存,大量现货出售,实单可议价!!!

描述

M29W160E是16 Mbit(2Mb x8或1Mb x16)非易失性存储器,可以读取,擦除和重新编程。这些操作可以按照使用一个低压(2.7至3.6V)形成供应。上电时,内存默认为读取模式,可以以相同方式读取作为ROM或EPROM。
内存分为多个块,可以独立擦除,因此可以保留有效数据,同时删除旧数据。每个块可以独立保护,防止意外编程或擦除命令以修改记忆。编程和擦除命令是可写的十到内存的命令接口。一个片上程序/擦除控制器简化了通过以下方式对存储器进行编程或擦除的过程照顾所有的特殊操作需要更新内存内容。
编程或擦除操作的结束可以是检测到并确定任何错误情况。的控制内存所需的命令集是符合JEDEC标准。存储器中的块不对称排列范围。前或后64 KB已分为四个额外的块。16 KB引导块可用于小的初始化代码来启动微处理器,两个8 KB参数块可用于参数存储和剩下的32K是一个小的主块,可以存储重复信息。
芯片使能,输出使能和写使能信号终控制存储器的总线操作。它们可以轻松连接到大多数微型处理器,继承者,通常没有附加逻辑。存储器提供TSOP48(12 x 20mm)和TFBGA48(0.8mm间距)封装。记忆提供了所有已擦除的位(设置为1)。 

规格

产品种类: NOR闪存 

封装 / 箱体: TSOP-48 

存储容量: 16 Mbit 

组织: 2 M x 8, 1 M x 16 

数据总线宽度: 8 bit, 16 bit 

电源电压-大: 3.6 V 

小工作温度: - 40 C 

封装: Tray 

速度: 70 ns  

商标: Micron  

标准: Common Flash Interface (CFI)  

子类别: Memory & Data Storage  

下单前请先与我司工作人员致电,感谢你的配合

上一篇:Hengstler亨士乐RI64空心轴编码器 下一篇:滑触线集电器、多极铜排集电器、单极滑线集电器介绍
热线电话 在线询价
提示

仪表网采购电话