NOR闪存存储器

S29GL064N90FFIS40NOR闪存存储器

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2019-09-30 10:45:48
459
属性:
产地:进口;加工定制:否;
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产品简介

深圳市星际金华实业有限公司S29GL064N90FFIS40 NOR闪存存储器,S29GL-N系列设备是使用110 nm制造的3.0伏单电源闪存MirrorBit技术。S29GL064N是64 Mb设备,组织为4,194,304字或8,388,608字节。S29GL032N是32 Mb设备,组织为2,097,152字或4,194,304字节。

详细介绍

深圳市星际金华实业有限公司S29GL064N90FFIS40 NOR闪存存储器  *  价格低廉  现货营销

星际金华供应S29GL064N90FFIS40 NOR闪存存储器   质量可保证   欢迎选购

特色
建筑优势
单电源供电
采用110 nm MirrorBit工艺技术制造
受保护的硅行业区域
– 128字/ 256字节扇区,安全地识别通过一个8字/ 16字节随机电子序列号,通过命令序列可访问
–由工厂编程或由客户锁定
灵活的部门架构
– 64Mb(统一扇区模型):128个32 Kword(64 KB)个扇区
– 64 Mb(引导扇区型号):127个32 Kword(64 KB)扇区+八个4Kword(8KB)引导扇区
– 32 Mb(统一扇区模型):64个32Kword(64 KB)扇区
– 32 Mb(引导扇区模型):63个32Kword(64 KB)扇区+
八个4Kword(8KB)引导扇区增强型多功能I / O™ 控制
–所有输入电平(地址,控制和DQ输入电平)和输出由V IO 输入上的电压确定。V IO 范围为1.65至V CC
与JEDEC标准兼容
–为单电源提供引脚分配和软件兼容性闪存和出色的无意写保护每个扇区通常有100,000个擦除周期典型的20年数据保留
性能特点
高性能
– 90 ns访问时间
– 8字/ 16字节页面读取缓冲区
– 25 ns页面读取时间
– 16字/ 32字节写缓冲区,减少了总体编程多词更新的时间
低功耗
– 25 mA典型有效读取电流
– 50 mA典型擦除/编程电流
– 10 µA典型待机模式电流
套餐选项
– 48引脚TSOP
– 56引脚TSOP
– 64球强化BGA
– 48球小间距BGA
软件和硬件功能
软件功能
–*的行业保护:提供持久的行业保护和密码扇区保护
–计划暂停和恢复:之前阅读其他行业编程操作完成
–擦除挂起和恢复:在读/编程其他扇区之前,擦除操作完成
–数据#轮询和切换位提供状态
–符合CFI(通用闪存接口):允许主机系统执行以下操作:识别并容纳多个闪存设备
–解锁绕过程序命令可减少整体多字
编程时间
硬件功能
– WP#/ ACC输入可加快编程时间(高压时)应用)以在系统生产期间获得更大的吞吐量。保护*个或后一个扇区,与统一上的扇区保护设置无关部门模型
–硬件重置输入(RESET#)重置设备
– Ready / Busy#输出(RY / BY#)检测编程或擦除周期完成

<div ft1325"="" style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: Arial, Verdana, sans-serif; font-size: 12px;">规格
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 64Mb (8M x 8,4M x 16)
存储器接口 并联
写周期时间 - 字,页 90ns
访问时间 90ns
电压 - 电源 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 64-LBGA
供应商器件封装 64-FBGA(13x11)

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