星际金华原装*STP45N40DM2AG N沟道金属氧化物场效应晶体管   进口*  *   

深圳市星际金华供应STP45N40DM2AG N沟道金属氧化物场效应晶体管   量大价优  欢迎购买

该高压N沟道功率MOSFET是MDmesh™DM2快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷（Q rr）和时间（t rr）以及低的R DS（on），从而使其非常适合要求苛刻的高效转换器，并且非常适合桥拓扑和ZVS相移转换器。

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 400V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 72 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 56nC @ 10V

Vgs（大值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 2600pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 250W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220

封装/外壳 TO-220-3

主要特征
专为汽车应用而设计，且符合AEC-Q101标准
快速恢复体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
低导通电阻
经过100％雪崩测试
*的dv / dt耐用性
齐纳保护

我们将竭诚为你服务