OptiMOS3功率晶体管

BSZ110N06NS3GOptiMOS3功率晶体管

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2019-09-05 17:52:15
2196
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深圳市星际金华实业有限公司

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产品简介

深圳市星际金华*BSZ110N06NS3G OptiMOS3功率晶体管,OptiMOS™60V是开关模式电源(SMPS)中同步整流的理想选择,例如服务器和台式机以及平板电脑充电器中的那些。此外,这些器件还可用于广泛的工业应用,包括电机控制,太阳能微逆变器和快速开关DC-DC转换器。

详细介绍

深圳市星际金华*BSZ110N06NS3G OptiMOS3功率晶体管,**,量大价优!

星际金华供应BSZ110N06NS3G OptiMOS3功率晶体管,实单可议价,有单者价格方面可详谈!!!

产品描述:OptiMOS™60V是开关模式电源(SMPS)中同步整流的理想选择,例如服务器和台式机以及平板电脑充电器中的那些。此外,这些器件还可用于广泛的工业应用,包括电机控制,太阳能微逆变器和快速开关DC-DC转换器。

功能摘要:
出色的栅极电荷x R DS(on)产品(FOM)
极低的导通电阻R DS(on)
非常适合快速切换应用
符合RoHS标准 - 无卤素
MSL1评级

优点:
大的系统效率
需要更少的并行
功率密度增加
降低系统成本
极低的电压过冲

规格:

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 11 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 4V @ 23µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 33nC @ 10V

Vgs(大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 2700pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散(大值) 2.1W(Ta),50W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 PG-TSDSON-8

封装/外壳 8-PowerVDFN

目标应用:
同步整流
太阳能微逆变器
隔离式DC-DC转换器
12-48V系统的电机控制
或者开关

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