星际金华大量现货供应PXAC200902FC射频金属氧化物半导体场效应晶体管，*，价格低廉！

深圳市星际金华出售PXAC200902FC射频金属氧化物半导体场效应晶体管，质量有保证，欢迎选购！

特征
宽带内部输入和输出匹配
AsymmetricDohertydesign
-主要：P1dB = 35 W Typ
- 峰值：P1dB = 55 W Typ
典型的CW性能，1920 MHz，26 V，
- 输出功率P 1dB = 50 W.
- 效率= 58％
- 增益= 16.6 dB
能够处理10：1 VSWR @ 28 V，90 W（CW）
输出功率
集成ESD保护
ESD等级：人体模型，1C级（每个ANSI / ESDA / JEDEC JS-001）
低热阻
无铅且符合RoHS标准

产品属性 
制造商: Infineon 
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 
RoHS:  详细信息  
晶体管极性: Dual N-Channel 
技术: Si 
Vds-漏源极击穿电压: 65 V 
Rds On-漏源导通电阻: 220 mOhms 
增益: 17.2 dB 
输出功率: 90 W 
大工作温度: + 225 C 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: H-37248-4 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
工作频率: 1805 MHz to 2170 MHz  
类型: RF Power MOSFET  
商标: Infineon 
通道数量: 2 Channel  
产品类型: RF MOSFET Transistors  
工厂包装数量: 250  
子类别: MOSFETs  
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V  

 产品说明

PXAC200902FC是一款90瓦LDMOS FET，具有非对称性旨在用于多标准蜂窝功率放大器的设备1805至2170 MHz频段的应用。功能包括双路设计，输入和输出匹配，高增益和热 -带有无耳法兰的增强型推拉式包装。

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